YZPST-FM3N150C
MOSFET N-canal 1500V
YZPST-FM3N150C
Description générale
Ce MOSFET de puissance est produit en utilisant une technologie planaire auto-alignée avancée. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions d'énergie élevée en mode avalanche et de commutation.
Ces dispositifs peuvent être utilisés dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité accrue.
Caractéristiques
3A, 1500V, RDS(on)typ. = 5Q@VGS = 10 V ld=1.5A
Faible charge de grille (typique 9.3nC)
Faible charge de grille (typique 2.4pf)
Commutation rapide
100% testé en avalanche
Valeurs maximales absolues Tc = 25 C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | JFFM3N150C | Unités | |
| Vdss | Tension drain-source | 1500 | V | |
| Id | Courant de Drain | Continu (Tc = 25 C ) | 1.8 | A |
| Continu ( Tc = 100 C ) | 1.2 | A | ||
| Idm | Courant de Drain - Pulsé ( Note 1) | 12 | A | |
| Vgss | Tension grille-source | ±30 | V | |
| EAS | Énergie avalanche pulsée unique ( Note 2 ) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Pic de la récupération de dv/dt de la diode ( Note 3 ) | 5 | V/ns | |
| Pd | Puissance dissipée (Tc = 25 °C ) | 30 | W | |
| Tj,Tstg | Plage de température de fonctionnement et de stockage | -55 à +150 | °C | |
| Tl | Température maximale de la tête pour des fins de soudage | 300 | °C | |
| 1/8 3/00 boîtier de frome pendant 5 secondes | ||||
Caractéristiques thermiques
| Symbole | Paramètre | JFFM3N150C | Unités |
| Raic | Résistance thermique, jonction-boîtier | 4.1 | °C/W |
| Rqja | Résistance thermique, jonction-ambiante | 62.5 | °C/W |
Caractéristiques électriques tc=25 °c sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unités |
| Caractéristiques hors | ||||||
| BVdss | Tension de claquage drain-source | Vgs = 0 V, Id =250 uA | 1500 | — | — | V |
| / BVdss/ | Coefficient de température de la tension de claquage | Id = 250 uA, Référencé à | -- | 1.3 | -- | v/0c |
| b Tj | 25 0C | |||||
| Courant de drain à tension de grille nulle | Vds = 1500 V, Vgs = 0 V | — | — | 25 | uA | |
| Idss | Vds = 1200 V, Tc = 125 C | -- | -- | 500 | uA | |
| Igssf | Courant de fuite corps-grille, direct | Vgs = 30 V, Vgs = 0 V | — | — | 100 | nA |
| Igssr | Courant de fuite corps-grille, inverse | Vgs = -30 V, Vgs = 0 V | — | — | -100 | nA |
| Caractéristiques en fonctionnement | ||||||
| VGS(th) | Tension de seuil de la grille | Vds = Vgs, Id = 250 uA | 3 | — | 5 | V |
| RDS(on) | Résistance statique drain-source activée | Vgs = 10 V, Id= 1.5A | — | 5 | 8 | Q |
| gFS | Transconductance directe | Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note | -- | 4.5 | -- | S |
| 4) | ||||||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| Ciss | Capacité d'entrée | Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f = | — | 1938 | — | pF |
| Coss | Capacité de sortie | 1,0 MHz | — | 104 | — | pF |
| Crss | Capacité de transfert inverse | — | 2.4 | — | pF | |
| Rg | Résistance de grille | F= 1.0 MHz | 3.5 | Q | ||
| Caractéristiques de commutation | ||||||
| td(on) | Temps de retard d'allumage | 34 | ns | |||
| tr | Temps de montée d'allumage | Vds = 750 V, Id=3.0A / Rg = | 17 | ns | ||
| td(off) | Temps de retard d'extinction | 100 , Vgs = 10 V (Note 4,5) | 56 | ns | ||
| tf | Temps d'arrêt de chute | 27 | ns | |||
| Qe | Charge totale de grille | Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs = | 9.3 | nC | ||
| Qgs | Charge grille-source | 10 V (Note 4,5) | 15 | nC | ||
| Qgd | Charge grille-drain | 5.3 | nC | |||
| Caractéristiques et valeurs maximales de la diode drain-source | ||||||
| Is | Courant direct maximal drain-source continu de la diode | — | — | 3 | A | |
| Ism | Courant direct maximum pulsé drain-source diode | — | — | 12 | A | |
| Vsd | Tension directe drain-source diode | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | — | 1.5 | V |
| trr | Temps de récupération inverse | Vgs = 0 V, Is = 3.0 A | — | 302 | — | ns |
| Qrr | Charge de récupération inverse | dl F /dt = 100 A/us ( Note | -- | 10 | -- | uC |
| 4) | ||||||
Notes:
1. Cote de répétition : Largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale
2. L= lO.OmH , Ias = 6.7A, Rg = 25Q, StartingTj = 25°C
3. Isd < 3.0A z di/dt < lOOA/us, Vdd < BVdss, Démarrage Tj = 25°C
4. Test pulsé : Largeur d'impulsion <3OOus z Cycle de service < 2%
5. Essentiellement indépendant de la température de fonctionnement
Pour plus d'informations sur YZPST-FM3N150C veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé " YZPST-FM3N150C"
Produits Associés
