YZPST-FD1000A
Caractéristiques :
. Toute structure diffusée
. Taux de surtension élevé
. Capacité de blocage jusqu'à 2800 volts
. Récupération douce après inverse
. Boîtier hermétique en céramique robuste
. Dispositif assemblé sous pression
Blocage inverse
Type de dispositif |
V RRM (1) |
V RSM (1) |
FD1000A50 |
2500 |
2800 |
FD1000A56 |
2800 |
3100 |
V RRM = Tension inverse de crête répétitive
V RSM = Tension inverse de crête non répétitive (2)
Fuite inverse de crête répétitive |
I RRM
|
10 mA 50 mA (3) |
Conduction - à l'état passant
Paramètre |
Symbole |
Min. |
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
Valeur moyenne du courant passant à l'état actif |
I F(AV) |
|
10 00 |
|
Un |
Sinusoïdale,180 o conduction,T c =100 o C |
Valeur RMS du courant de l'état passant |
I FRMS |
|
1570 |
|
Un |
Valeur nominale |
Pic de surtension d'un cycle Courant (non répétitif) |
I FSM |
|
25 000
|
|
Un
|
10,0 ms (50 Hz), onde sinusoïdale- forme, 180 o conduction, T j = 175 o C |
Je carré t |
I 2 t |
|
2.6 x10 5 |
|
Un 2 s |
10 msec |
Peak on-state voltage |
V FM |
|
1.65 |
|
V |
I FM = 2500 A; Cycle de service £ 0.01%; T j = 160 o C
|
Courant de récupération inverse (4) |
I RM(REC) |
|
250 |
|
Un |
I FM = 1000 A; dI F /dt = 10 A/ m s, Tj = 160 oC |
Reverse Recovery Charge (4) |
Q rr |
|
* |
|
m C |
|
Reverse Recovery Time (4) |
t RR |
|
* |
|
m s |
|
Paramètre |
Symbole |
Min. |
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
|
Température de fonctionnement |
T j |
-40 |
+1 50 |
|
o C |
|
|
Température de stockage |
T stg |
-40 |
+1 50 |
|
o C |
|
|
Résistance thermique - jonction au boîtier |
R Q (j-c)
|
|
0.023
|
|
o C/W |
Refroidi des deux côtés
|
|
Résistance thermique - boîtier à dissipateur |
R Q (c-s) |
|
0 .010
|
|
o C/W |
Refroidi des deux côtés *
|
|
Force de montage |
P |
|
24 |
|
kN |
|
|
Poids |
W |
|
|
600 |
g |
|

Pour plus d'informations sur redresseur veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé " YANGZHOU POSITIONING TECH CO Pièces de thyristor et de diode "