Paramètre

Symbole

Unité

SKP24F33Q

SKP24F30Q

SKP24F28Q

SKP24F26Q

Conditions

Crête non répétitive hors tension

et la tension inverse

V DSM V RSM

V

3400

3100

2900

2700

f = 5 Hz, t p = 10ms

pic de tension hors état répétitif et

tension inverse

V DRM V RRM

V

3300

3000

2800

2600

f = 50 Hz, t p = 10ms

Crête non répétitive hors tension

et courant inverse

I DSM I RSM

mA

400

V DSM ",V RSM ,T j = 125°C

pic de tension hors état répétitif et

courant inverse

I DRM I RRM

mA

400

V DRM ",V RRM, T j = 125°C

Taux critique de montée de

tension de blocage

dv / d t crit

V/ µs

1000

Exp.to 0.67V DRM, T j =

125°C

Paramètre

Symbole

Unité

Max

Conditions

Courant moyen en état passant

I TAVM

A

2437

Demi-onde sinusoïdale, T C = 70°C

Courant efficace sur l'état passant

I TRMS

A

3818

Courant non répétitif de crête

I TSM

KA

43

tp=10ms, T j =125°C, Demi-onde sinusoïdale, V D = V R = 0V après surtension

Limite intégrale de charge

I ² t

kA ² s

9622

Tension de crête en état passant

V T

V

1.45

I T =3000A ,T j =125°C

Tension de seuil

V T0

V

0.85

I T =1500-4500A, ,T j =125°C

Résistance à la pente

uff52 T

mΩ

0.2

Courant de maintien

I H

mA

150

T j =25°C

mA

130

T j =125°C

Courant de maintien

I L

mA

1000

T j =25°C

mA

900

T j =125°C

Paramètre

Symbole

Unité

Max

Conditions

Taux critique de montée de

Courant d'état passant

di/dt crit

A/µs

200

V D ≤ 0.67 V DRM , T j =125°C, f=50Hz

I TRM ≤ 2400A, I FG =2.0 A ,t r = 0.5 µs,

Circuit-commuté éteint

temps

t q

µs

700

V D ≤ 0,67 V DRM

dv D /dt = -30 V/ µs

I TRM =2000A, T j = 125°C V R = 200 V,

di T /dt = -10 A/µs

Reverse

recovery charge

Min

Qrr

As

6000

Max

As

8000