Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension collecteur-base

VCBO

20

V

Tension collecteur-émetteur

VCEO

11

V

Tension émetteur-base

VEBO

3

V

Courant collecteur

IC

50

mA

Dissipation de puissance du collecteur

PC

0.2

W

Température de jonction

Tj

150

°C

Température de stockage

Tstg

-55~+150

°C

Paramètre

Symbole

Min.

Typ

Max.

Unité

Conditions

Tension de claquage collecteur-base

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Tension de claquage collecteur-émetteur

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Tension de claquage émetteur-base

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Courant de coupure du collecteur

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Courant de coupure de l’émetteur

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2 V

Tension de saturation collecteur-émetteur

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10 mA/5 mA

Rapport de transfert de courant continu

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10 V/5 mA

Fréquence de transition

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10 mA, f=500 MHz

Capacité de sortie

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0 A, f=1 MHz

Constante de temps collecteur-base

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10 mA, f=31,8 MHz

Facteur de bruit

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6 V, IC=2 mA, f=500 MHz, Rg=50W