YZPST-MJD31C
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
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Transistors de puissance NPN en silicium
P/N : YZPST-MJD31C
DESCRIPTION :
Le MJD31C est un transistor de puissance NPN en silicium, conçu pour des applications de commutation linéaire de puissance moyenne.
VALEURS ABSOLUES MAXIMALES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VCBO | Tension collecteur-base | 100 | V |
VCEO | Tension collecteur-émetteur | 100 | V |
VEBO | Tension émetteur-base | 5 | V |
IC | Courant collecteur continu | 3 | A |
ICM | Courant collecteur en impulsion | 5 | A |
IB | Courant de base | 1 | A |
PTOT | Dissipation totale à Tcase = 25 °C℃ | 15 | W |
Tj | Température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Plage de température de stockage | -55〜 150 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25 °C, sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
Min | Type | Max | ||||
ICEO | Courant de coupure collecteur | VCE = 60 V |
|
| 0.3 | mA |
IEBO | Courant de coupure émetteur | VEB = 5 V |
|
| 1 | mA |
VCEO（SUS） | Tension de maintien collecteur-émetteur | IC = 30 mA | 100 |
|
| V |
VCEsat | Saturation collecteur-émetteur Tension | IC = 3 A IB = 0,375 A |
|
| 1.2 | V |
VBE | Tension de conduction base-émetteur | IC = 3 A ; VCE = 4 V |
|
| 1.8 | V |
hFE-1 | Gain en courant continu | IC = 1 A ; VCE = 4 V | 25 |
|
|
|
hFE-2 | Gain en courant continu | IC = 3 A ; VCE = 4 V | 10 |
| 50 |
|
fT | Fréquence de transition | IC = 0,5 A ; VCE = 10 V | 3 |
|
| MHz |
DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
