YZPST-BD140-16
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
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TRANSISTOR AU SILICIUM PNP
YZPST-BD140-16
Le BD140-16 en boîtier plastique TO-126 de la norme JEDEC est un transistor PNP planaire épitaxial en silicium ; les types NPN complémentaires sont les BD139-16
DESCRIPTION
Le BD140-16 est un transistor PNP planaire épitaxial en silicium
en boîtier plastique TO-126 de la norme JEDEC, conçu pour les
amplificateurs audio et les drivers utilisant des circuits complémentaires ou quasi-
complémentaires.
Les types NPN complémentaires sont les BD139-16
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES ( Ta = 25 OC)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Tension collecteur-base | VCBO | -80 | V |
Tension collecteur-émetteur | VCEO | -80 | V |
Tension émetteur-base | VEBO | -5.0 | V |
Courant collecteur | IC | -1.5 | A |
Courant de base | IB | -0.5 | A |
Dissipation totale à | Ptot | 12.5 | W |
Température maximale de jonction en fonctionnement | Tj | 150 | oC |
Température de stockage | Tstg | -55~150 | oC |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ( Ta = 25 OC)
| Paramètre | Symbole | Essai Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| Collecteur Coupure-off Courant | ICBO | VCB = -80V, IE = 0 | -10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Courant de coupure de l’émetteurant | IEBO | |||||
| VEB = -5.0V, IC = 0 | -10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tension de maintien collecteur-émetteurage | IC = -1.0mA, IB = 0 | -80 | — | — | V | |
| VCE = -2.0V, IC = -0.15A | 100 | 250 | ||||
| Courant continu Gain | hFE | |||||
| VCE = -2.0V, IC = -0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Saturation collecteur-émetteurTension | IC = -0.5A, IB = -0.05A | -0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tension base-émetteur | IC = -0,5 A, VCE = -2.0 V | -1 | V | |||
| fT | ||||||
| Transition Fréquence | VCE = -5,0 V, IC = -50 mA | 80 | MHz |
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
