YZPST-FR1000AX50
Caractéristiques:
- Toute structure diffusée
- Configuration de la porte d'amplification interdigitée
- Capacité de blocage jusqu'à 2500 volts
- Temps de désactivation maximum garanti
- Capacité élevée de dV/dt
- Dispositif Assemblé sous Pression
Bloquant - État désactivé
Type de périphérique |
VDRM (1) |
VDSM (1) |
FR1000AX50 |
2500 |
2500 |
Fuite de l' at de repos de crête répétitive |
IDRM
|
20 mA
80mA (3)
|
Taux critique de montée de tension |
dV/dt (4) |
700 V/msec |
Conduite - sur l'état
Paramètre |
Symbole |
|
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
Valeur efficace du courant en état passant |
ITRMS |
|
1550 |
|
Un |
Valeur nominale |
IT(AV) |
1000
|
|
Un |
Conduction en onde sinusoïdale continue monophasée, demi-onde, 180° |
||
Pic de surtension d'un cycle
(non répétitif) actuel
|
ITSM |
|
14000 |
|
Un |
8,3 ms (60 Hz), onde sinusoïdale-
forme, conduction 180o, Tj = 125 oC
|
Je carré t |
I2t |
|
8.2.x105 |
|
A2s |
8,3 ms et 10,0 ms |
RNS courant inverse |
IR(RMS) |
|
630 |
|
Un |
|
Courant inverse moyen |
IR(AV) |
|
400 |
|
Un |
Conduction en onde sinusoïdale continue monophasée, demi-onde, 180° |
Tension de crête en état passant |
VTM |
|
2.2 |
|
V |
ITM=1000A Tj = 125 oC |
Tension inverse de crête |
VRM |
|
4.0 |
|
V |
IRM=1200A, Tj = 125 oC |
Taux critique de montée de l'état conducteur
actuel
|
di/dt |
|
300 |
|
A/ms |
VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125℃ |
Taux critique de diminution du courant de commutation inverse |
(di/dt)C |
|
200 |
|
A/ms |
ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125℃,Saturable reactor7500v.us |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET NOTATIONS (suite)
Gating
Paramètre |
Symbole |
Min. |
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
Puissance de dissipation maximale de la grille |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Puissance moyenne dissipée par grille |
PG(AV) |
|
8 |
|
W |
|
Courant de crête de la porte |
IGM |
|
10 |
|
Un |
|
Courant de gâchette requis pour déclencher toutes les unités |
IGT |
|
350 |
|
mA |
VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC |
Tension de grille requise pour déclencher toutes les unités
|
VGT |
|
4
|
|
V |
VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC |
Tension de crête non déclenchée |
VGD |
|
0.2 |
|
V |
Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM |
Dynamique
Paramètre |
Symbole |
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
|
tq |
|
50
|
|
ms |
ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;
di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V
Tj = 125 oC;tw=60us
|
* Pour une valeur maximale garantie, contactez l'usine.
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES ET MÉCANIQUES ET NOTATIONS
Paramètre |
Symbole |
Min. |
Max. |
Typ. |
Unités |
Conditions |
Température de fonctionnement |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Température de stockage |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Résistance thermique de la partie thyristor - jonction à ailette |
RQI (j-f) |
|
0.022 |
|
oC/W |
Double sided cooled |
Résistance thermique de la partie diode - jonction à ailette |
RQ₂ (j-f) |
|
0.070 |
|
oC/W |
Double sided cooled |
Force de montage |
P |
|
45 |
|
kN |
|
Poids |
W |
|
670 |
|
g |
|
* Surfaces de montage lisses, plates et graissées
OUTLINE ET DIMENSIONS DU BOÎTIER.
FR1000AX50 Thyristor à conduction inverse

YZPST peut fournir la liste équivalente suivante des thyristors à conduction inverse (Types de capsules)
Type | SI(AV) | VRR M |
IFSM
@TVJM
&10ms
|
IRRM (max) &Tj= TVJM | VTM(max) | trr(max) | Tvj | Rthjc | Frais de 10% | |
Un | V | KA | IFM(A) | V | 5s | V | C | K/W | KN | |
SHR400R22(21)
(CSR328)
|
240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
FR600AW
(AX)
|
150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |