Caractéristiques :
- Structure entièrement diffusée
- Configuration de grille amplificatrice interdigitée
- Capacité de blocage jusqu’à 2 500 volts
- Temps maximal d’extinction garanti
- Forte capacité dV/dt
- Dispositif assemblé sous pression
VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-FR1000AX50
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
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CARACTÉRISTIQUES ET VALEURS ÉLECTRIQUES
Blocage - état bloqué
Blocage - état bloqué
Type de dispositif | VDRM (1) | VDSM (1) |
FR1000AX50 | 2500 | 2500 |
VDRM = tension de crête répétitive en état bloqué
Courant de fuite de crête répétitif en état bloqué | IDRM | 20 mA 80 mA (3) |
Taux critique de montée de tension | dV/dt (4) | 700 V/ms |
Conduction - état passant
| Paramètre | Symbole | Max. | Typ. | Unités | Conditions | |
Valeur efficace du courant en état passant | ITRMS | 1550 | A | Valeur nominale | ||
IT(AV) |
1000
| A | Conduction monophasée continue, demi-onde sinusoïdale, conduction 180° | |||
Courant de surtension de crête sur un cycle (non répétitif) | ITSM | 14000 | A | 8,3 ms (60 Hz), onde sinusoïdale- forme, conduction 180°, Tj = 125 °C | ||
I carré t | I2t | 8.2.x105 | A2s | 8,3 ms et 10,0 ms | ||
RNS courant inverse | IR(RMS) | 630 | A | |||
Courant inverse moyen | IR(AV) | 400 | A | Conduction monophasée continue, demi-onde sinusoïdale, conduction 180° | ||
Tension de crête à l'état passant | VTM | 2.2 | V | ITM=1000A Tj = 125 °C | ||
Tension inverse de crête | VRM | 4.0 | V | IRM=1200A, Tj = 125 °C | ||
Vitesse critique de montée du courant du courant à l'état passant | di/dt | 300 | A/ms | VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125℃ | ||
Vitesse critique de décroissance du courant de commutation inverse | (di/dt)C | 200 | A/ms | ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125℃,Réacteur saturable 7500V.us |
CARACTÉRISTIQUES ET VALEURS ÉLECTRIQUES (suite)
Commande de gâchette
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Dissipation de puissance de gâchette de crête | PGM | 30 | W | tp = 40 us | ||
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 8 | W | |||
Courant de gâchette de crête | IGM | 10 | A | |||
Courant de gâchette requis pour amorcer tous les composants | IGT | 350 | mA | VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC | ||
Tension de gâchette requise pour amorcer tous les composants | VGT | 4 | V | VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC | ||
Tension crête non amorçante | VGD | 0.2 | V | Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM |
Dynamique
| Paramètre | Symbole | Max. | Typ. | Unités | Conditions | |
tq | 50 | ms | ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms; di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V Tj = 125 oC;tw=60us |
* Pour la valeur max. garantie, contacter l’usine.
CARACTÉRISTIQUES ET VALEURS NOMINALES THERMIQUES ET MÉCANIQUES
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Température de fonctionnement | Tj | -40 | +125 | oC | ||
Température de stockage | Tstg | -40 | +150 | oC | ||
Résistance thermique de la partie thyristor – jonction vers semelle | RQⅠ (j-f) | 0.022 | oC/W | Refroidissement double face | ||
Résistance thermique de la partie diode – jonction vers semelle | RQⅢ (j-f) | 0.070 | oC/W | Refroidissement double face | ||
Force de montage | P | 45 | kN | |||
Poids | W | 670 | g |
* Surfaces de montage lisses, planes et graissées
PLAN D’ENCOMBREMENT ET DIMENSIONS DU BOÎTIER.
FR1000AX50 Thyristor à conduction inverse
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante de thyristors à conduction inverse(types capsule)
| Type | IF(AV) | VRR M | IFSM @TVJM &10 ms | IRRM (max) &Tj= TVJM | VTM(max) | trr(max) | Tvj | Rthjc | F±10% | |
| A | V | KA | IFM(A) | V | µs | V | °C | K/W | KN | |
SHR400R22(21) (CSR328) | 240 | 1300 | 5600 | 40 | 500 | 2.3 | 3 | 125 | 0.08 | 16 |
FR600AW (AX) | 150 | 2500 | 3500 | 50 | 1200 | 4 | 3 | 125 | 0.03 | 26 |
| FR1000BX(BW) | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1200 | 4 | 4 | 125 | 0.022 | 40 |
| TP909FC | 400 | 2500 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.02 | 33 |
| TP978FC | 400 | 2400 | 6000 | 100 | 1000 | 2.6 | 4 | 125 | 0.021 | 33 |
Pour plus d'informations sur le thyristor à conduction inverse, veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus intitulé « YANGZHOU POSITIONING TECH CO pièces de thyristor et de diode de puissance »
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