YZPST-T171-320-10

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Caractéristiques :

● Configuration de gâchette à amplification centrale
● Encapsulation par compression
● Capacité élevée de dV/dt
● Type goujon, filetage en pouces ou métrique

Applications

● Commutation de puissance moyenne
● Alimentations CC

Caractéristiques et valeurs maximales admissibles

Symbole	Paramètre		Valeurs	Unités	Conditions d’essai
À l’état passant
ITAV	Courant moyen à l’état passant		320	A	Sinusoïde, conduction à 180°, Tc=84 °C
ITRMS	Valeur efficace du courant en état passant		502	A	Valeur nominale
ITSM	Courant de surtension de crête sur un cycle (non répétitif)		7	kA	10,0 ms (50 Hz), onde sinusoïdale- forme, conduction 180°, Tj = 125 °C
I2t	I carré t		240	kA²s	8,3 ms et 10,0 ms
IL	Courant d’accrochage		700	mA	VD = 24 V ; RL = 12 ohms
IH	Courant de maintien		300	mA	VD = 24 V ; I = 2,5 A
VTM	Tension de crête à l'état passant		1.6	V	ITM = 1005 A
di/dt	Taux critique de montée du courant à l’état passant	non répétitif	1000	A/ms	Commande de grille 20 V, 20 Ω, tr≤1 μs, Tj=Tjmax, tension d’anode≤80 % de VDRM
di/dt	Taux critique de montée du courant à l’état passant	répétitif	-	A/ms
À l’état bloqué
VDRM VRRM	Tension de crête répétitive à l’état bloqué Tension inverse de crête répétitive		1000	V
VDSM VRSM	Tension de crête non répétitive à l’état bloqué Tension inverse de crête non répétitive		1100	V
IDRM IRRM	Courant de crête répétitif à l’état bloqué Courant inverse de crête répétitif		70	mA	Tj = 100 °C, VDRM/VRRM appliquée(s)
dV/dt	Taux critique de montée de tension		500	V/ms	TJ=TJmax, linéaire jusqu’à 80 % de la VDRM nominale
DÉCLENCHEMENT
PG(AV)	Dissipation de puissance moyenne de gâchette		3	W
PGM	Dissipation de puissance de gâchette de crête		-	W
IGM	Courant de gâchette de crête		6	A
IGT	Courant de déclenchement de grille		250	mA	TC = 25 °C
VGT	Tension de déclenchement de grille		2.5	V	TC = 25 °C
VGD	Tension de non-déclenchement de grille		0.6	V	Tj = 125 °C
VT0			1.006	V	Tj = 125 °C
rT			0612	mΩ
COMMUTATION
tq	Temps d’extinction		125	ms	ITM=320 A, TJ=TJmax, di/dt=10 A/μs, VR=100 V, dv/dt=50 V/μs, grille 0 V 100 Ω, tp=500 μs
td	Temps de retard		-	ms	Courant de grille A, di/dt=40 A/μs, Vd=0,67 % VDRM, TJ=25 °C

Thermique et mécanique

Symbole	Paramètre	Valeurs	Unités	Conditions d’essai
Tj	Température de fonctionnement	-40~125	oC
Tstg	Température de stockage	-40~125	oC
R th (j-c)	Résistance thermique - jonction vers boîtier	0.085	oC/W	Fonctionnement en courant continu, refroidissement par une seule face
R th (c-s)	Résistance thermique - boîtier vers dissipateur	-	oC/W	Refroidissement par une seule face
P	Force de montage	-	Nm	± 10 %
W	Poids	440	g	à propos

SCHÉMA

YZPST peut fournir la liste d’équivalents suivante pour les thyristors à commande de phase (type à goujon)

Type	IT(AV)	VTM/ITM		VDRM VRRM	IDRM IRRM	IGT	VGT	dv/dt	Tjm	F
Type	A	V/A		V	mA	mA	V	V/gs	°C	F
KP5	5	2.2	15	300-1600		100	2.0		125
KP20	20	2.2	60	300-1600	10	100	2.0		125	10Nm
KP50	50	2.2	150	300-1600	15	100	2.0	500	125	16Nm
KPI 00	100	2.8	300	100-2200	20	200	2.5	500	125	33Nm
KP200	200	2.8	600	100-2200	25	200	2.5	500	125	4KN
KP300	300	2.8	900	100-2200	30	200	2.5	500	125	7KN
KP500	500	3.0	1500	100-2200	45	300	3.0	500	125	10KN

Pour plus d’informations sur le thyristor à commande de phase, veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus intitulé « YANGZHOU POSITIONING TECH CO Thyristor de puissance et pièces de diode »

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