YZPST-T171-320-10
Features:
Configuration de la porte d'amplification centrale
Encapsulation par compression liée
Capacité élevée en dV/dt
Type d'étude, filetage pouce ou métrique
Application
Commutation de puissance moyenne
Alimentations électriques DC
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Symbole |
Paramètre |
Valeurs |
Unités |
Conditions de test |
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ÉTAT ACTIF |
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ITAV |
Courant moyen en état actif |
320 |
A |
Onde sinusoïdale, conduction à 180°, Tc=84°C |
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ITRMS |
Valeur RMS du courant à l'état passant |
502 |
A |
Valeur nominale |
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ITSM |
Pic de courant de surtension d'un cycle
Courant (non répétitif)
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7 |
kA |
10,0 msec (50Hz), onde sinusoïdale, forme d'onde à 180° de conduction, Tj = 125°C
I2t
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I carré t |
240 |
240 |
KA2s |
8,3 msec et 10,0 msec |
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IL |
Courant de verrouillage |
700 |
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
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IH |
Courant de maintien |
300 |
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
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VTM |
Tension de crête sur l'état passant |
1.6 |
V |
ITM = 1005 A |
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di/dt |
Taux critique de montée
du courant d'état passant
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non-répétitif |
1000 |
A/ms |
Commande de grille 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, tension anode≤80% VDRM |
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répétitif |
- |
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BLOCAGE |
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VDRM
VRRM
|
Tension de crête répétitive hors état
Tension de crête inverse répétitive
|
1000 |
V |
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VDSM
VRSM
|
Tension de crête hors état non répétitive
Tension de crête inverse non répétitive
|
1100 |
V |
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IDRM
IRRM
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Courant de crête hors état répétitif Courant de crête inverse répétitif |
70 |
mA |
Tj = 100 oC ,VRRM VDRM appliqué |
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dV/dt |
Taux critique de montée de tension |
500 |
V/ms |
TJ=TJmax, linéaire à 80% de VDRM nominale |
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TRIGGEING |
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PG(AV) |
Puissance moyenne dissipée par grille |
3 |
W |
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PGM |
Puissance maximale dissipée par grille |
- |
W |
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IGM |
Courant maximal de grille |
6 |
A |
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IGT |
Courant de déclenchement de grille |
250 |
mA |
TC = 25 oC |
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|
VGT |
Tension de déclenchement de grille |
2.5 |
V |
TC = 25 oC |
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|
VGD |
Tension de non-déclenchement de grille |
0.6 |
V |
Tj = 125 oC |
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|
VT0 |
|
1.006 |
V |
Tj = 125 oC |
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|
rT |
|
0612 |
mΩ |
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SWITCHING |
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tq |
Temps d'extinction |
125 |
ms |
ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs,
VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs
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td |
Temps de retard |
- |
Courant de grille A, di/dt=40A/μs,
Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC
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Thermique et mécanique
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Symbole |
Paramètre |
Valeurs |
Unités |
Conditions de test |
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Tj |
Température de fonctionnement |
-40~125 |
oC |
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Tstg |
Température de stockage |
-40~125 |
oC |
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R th (j-c) |
Résistance thermique - jonction au boîtier |
0.085 |
oC/W |
Fonctionnement en CC, refroidi d'un seul côté |
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R th (c-s) |
Résistance thermique - boîtier au dissipateur |
- |
oC/W |
Refroidi d'un seul côté |
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P |
Force de montage |
- |
Nm |
± 10 % |
|
W |
Poids |
440 |
g |
environ |
-
OUTLINE
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante des thyristors de commande de phase (type stud)
| Type | IT(AV) | VTM/ITM | VDRM VRRM | IDRM IRRM | IGT | VGT | dv/dt | Tjm | F | |
| A | V/A | V | mA | mA | V | V/gs | °C | |||
| KP5 | 5 | 2.2 | 15 | 300-1600 | 100 | 2.0 | 125 | |||
| KP20 | 20 | 2.2 | 60 | 300-1600 | 10 | 100 | 2.0 | 125 | 10Nm | |
| KP50 | 50 | 2.2 | 150 | 300-1600 | 15 | 100 | 2.0 | 500 | 125 | 16Nm |
| KPI 00 | 100 | 2.8 | 300 | 100-2200 | 20 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 33Nm |
| KP200 | 200 | 2.8 | 600 | 100-2200 | 25 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 4KN |
| KP300 | 300 | 2.8 | 900 | 100-2200 | 30 | 200 | 2,5 | 500 | 125 | 7KN |
| KP500 | 500 | 3,0 | 1500 | 100-2200 | 45 | 300 | 3,0 | 500 | 125 | 10KN |
