65R72GF Transistor MOSFET de puissance à canal N en remplacement du STW48N60M2
MOSFET de puissance N-canal
Type:YZPST-65R72GF
| RÉSUMÉ DU PRODUIT | |
| Vds (V) à Tj max. | 700 |
| Rds(ofi ) max. à 25°C (mQ) | Vgs=10V 72 |
| Q g max. (nC) | 130 |
| Qgs (nC) | 30 |
| Qgd (nC) | 34 |
| Configuration | single |
Caractéristiques
Fast Body Diode MOSFET
|D=47A(Vgs=10V)
Ultra faible charge de grille
Capacité dv/dt améliorée
Conforme à la directive RoHS
Applications
Alimentations à découpage (SMPS)Alimentations pour serveurs et télécommunications
Chargeurs de soudage et de batteries
Solaire (Onduleurs PV)
Circuits de pont AC/DC
| INFORMATIONS DE COMMANDE | |
| Dispositif | YZPST-65R72GF |
| Boîtier de dispositif | TO-247 |
| Marquage | 65R72GF |
| VALEURS MAXIMALES ABSOLUES (Tc=25 o C, sauf indication contraire) | |||
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension de Drain à Source | Vdss | 650 | V |
| Courant de drain continu (@Tc=25°C) | Id | 47ⅴ4 | A |
| Courant de drain continu (@Tc=100°C) | 29ⅴ4 | A | |
| Courant de drain pulsé (2) | Idm | 138ⅴ4 | A |
| Tension de grille à la source | Vgs | ±30 | V |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique (3) | Eas | 1500 | mJ |
| Résistance au dv/dt du MOSFET (@V DS =0~400V) | dv/dt | 25 | V/ns |
| Peak diode Recovery dv/dt | dv/dt | 15 | V/ns |
| Total power dissipation (@Tc=25°C) | Pd | 417 | W |
| Facteur de déclassement au-dessus de 25°C | 3.34 | w/0c | |
| Température de jonction de fonctionnement et température de stockage | Tstg, Tj | -55 à + 150 | °C |
| Température maximale de la tête pour le soudage | Tl | 260 | °C |
Notes
1. Le courant de drain est limité par la température de jonction maximale.
2. Cote répétitive : largeur d'impulsion limitée par la température de jonction.
3 L = 37mH, l AS = 9A, V DD = 50V, R G =25Q, Démarrage à Tj = 25°C
4. I SD < l D , di/dt = WOA/us, V DD < BV DSS , Starting at Tj =25°C
For more information about YZPST-65R72GF veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "YZPST-65R72GF"
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