YZPST-1A01K170K
YZPST-1A01K170K
Silicium Carbure Power MOSFET
N-Channel Mode d'amélioration
V DS = 1700 V
RDs(on) = 1.0QlDS@25°C = 5.0 A
Caractéristiques
Capacité haute tension
Haute tension de blocage avec faible résistance à l'état passant
Commutation haute vitesse avec faibles capacités
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Capacité drain-source ultra-basse
Résistance aux avalanches
Avantages
Efficacité système plus élevée
Exigences de refroidissement réduites
Fiabilité système accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Alimentations auxiliaires
Alimentations ''Switch Mode''
| Numéro de pièce | Paquet |
| 1A01K170K | TO-247-3 |
Caractéristiques maximales (Tc=25°C sauf indication contraire)
Pour plus d'informations sur YZPST-1A01K170K veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé " YZPST-1A01K170K "
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