YZPST-KP641-16E

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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.

CENTRE DE DOCUMENTATION

ENSEMBLE THYRISTOR HAUTE PUISSANCE POUR APPLICATIONS DE COMMANDE DE PHASE

YZPST-KP641-16E

Caractéristiques :

. Structure entièrement diffusée

. Configuration de gâchette amplificatrice

. Capacité de blocage jusqu'à 1600 volts

Temps de blocage à l’extinction maximal garanti

Capacité élevée en dV/dt

. Composant assemblé par pression

Paramètre	Symbole	Maxim Limites en m	Unités	Conditions
Tension inverse de crête répétitive	VRRM	1600	V
Tension de blocage crête répétitive	VDRM	1600	V
Valeur moyenne du courant à l'état passant	I T(AV)	641	A	Sinusoïde, 180^oconduction, Tdissipateur=70℃
Crête de surtension sur un cycle (courant non répétitif)	ITSM	9900	A	10,0 ms (50 Hz), forme d’onde sinusoïdale, 180 oconduction, Tj = 125℃
	IRRM	30	mA	Tj = 125 ℃
	IDRM	30	mA	Tj = 125 ℃
Tension de pointe à l'état passant	VTM	1.5	V	Tj = 125 ℃ ITM=1000 A
Tension de seuil	V T(TO)	0.99	V	Tj =1 25 ℃
Résistance de pente	rT	0.52	mΩ	Tj =1 25 ℃
Dissipation de puissance moyenne de grille	P G(AV)	3	W
Courant de grille	IGT	300	mA	V D = 6V; RL = 3 ohms ; Tj = +25 ℃
Tension de grille	VGT	3.5	V	V D = 6V; RL = 3 ohms ; Tj = 0-125 ℃
Courant d'accrochage	I L	1000	mA	V D = 24 V ; R L = 12 ohms
Courant de maintien	I H	300	mA	V D = 24 V ; I = 2,5 A
Taux critique de montée de la tension	dV/dt	1000	V/s	VD=2/3VDRM
Taux critique de montée du courant en état passant courant	di/dt	200	A/s	Commutation depuis V DRM 1000 V, non répétitif
Température de fonctionnement	T	-30-125	℃
Température de stockage	Tstg	-30-125	℃