YZPST-QM3N150C Commutation rapide 1500V MOSFET de canal N
1500V N-Channel MOSFET
YZPST-QM3N150C
Description Générale
Ce MOSFET de puissance est produit en utilisant une technologie planaire avancée.
Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, offrir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions d'énergie élevée en mode avalanche et de commutation.
Ces dispositifs peuvent être utilisés dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité accrue.
Caractéristiques
3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A
Faible charge de grille (typique 37nC)
Faible capacité de transfert inverse (typique 2.8pf)
Commutation rapide
Testé à 100% en mode avalanche
1500V N-Channel MOSFET
YZPST-QM3N150C
Description générale
Ce MOSFET de puissance est produit en utilisant une technologie avancée
technologie planaire auto-alignée. Cette technologie avancée
a été spécialement conçue pour minimiser
la résistance à l'état passant, fournir une commutation supérieure
performance et résister à des impulsions d'énergie élevée dans le
mode avalanche et de commutation.
Ces dispositifs peuvent être utilisés dans diverses commutations de puissance
circuit pour la miniaturisation du système et une efficacité accrue.
Caractéristiques
3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A
Faible charge de grille (typique 37nC)
Faible capacité de transfert inverse (typique 2.8pf)
Commuation rapide
Testé à 100% en cas d'avalanche
Caractéristiques absolues maximales Tc=25 C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | YZPST-QM3N150C | Unités | |
| Voss | Tension drain-source | 1500 | V | |
| lo | Courant de drain | Continu (Tc=25℃) | 3 | A |
| Continu (Tc=100℃) | 1.8 | A | ||
| loM | Courant de drain - Pulsé (Note 1) | 12 | A | |
| VGss | Tension grille-source | ±30 | V | |
| EAS | Énergie avalanche pulsée unique (Note 2) | 225 | mJ | |
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) | 5 | V/ns | |
| Po | Puissance Dissipée (Tc=25℃) | 32 | W | |
| T, Tsts | Plage de température de fonctionnement et de stockage | -55 à +150 | ℃ | |
| Tt |
Température maximale du plomb à des fins de soudage
1/8" du boîtier pendant 5 secondes |
300 | ℃ | |
Informations sur le package TO-3PH
Pour plus d'informations sur YZPST-QM3N150C-G320 veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "YZPST-QM3N150C-G320"
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