YZPST-M2G0080120D
Caractéristiques
Boîtier optimisé avec broche de source de pilote séparée
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
Commutation rapide avec faibles capacités
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle
Conforme à la directive RoHS
Avantages
Efficacité système plus élevée
Réduction des besoins de refroidissement
Augmentation de la densité de puissance
Permet une fréquence plus élevée
Minimiser le déclenchement de la grille
Réduction de la complexité et du coût du système
Applications
Alimentations à découpage
Convertisseurs DC/DC
Onduleurs solaires
Chargeurs de batterie
Commandes de moteur
Boîtier optimisé avec broche de source de pilote séparée
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
Commutation haute vitesse avec faibles capacités
Diode intrinsèque rapide avec faible récupération inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle
Conforme à la directive RoHS
Avantages
Efficacité système plus élevée
Réduire les besoins de refroidissement
Augmentation de la densité de puissance
Permettant une fréquence plus élevée
Minimiser la sonnerie de la grille
Réduction de la complexité et du coût du système
Applications
Alimentations à découpage
Convertisseurs DC/DC
Onduleurs solaires
Chargeurs de batterie
Commandes de moteur
Caractéristiques maximales (Tc = 25 C sauf indication contraire )
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions de test | Remarque |
| f^DSmax | Tension de claquage drain-source | 1200 | V | 海 =0 V, /d=100 氧 A | |
| Id | Courant de drain continu | 42 | A | 4s=20 V Tc=25 °C | Fig. 18 |
| Pd | Power Dissipation | 208 | W | *=25 °C | Fig. 19 |
| FgS,op | Recommander la tension de source de grille | -0.25 | V | ||
| J^Smax | Tension maximale de source de grille | -0.4 | V | AC (f>lHz) | Note 1 |
| Tj, Tstg | Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage | -55 à | 0C | ||
| 175 | |||||
| 7l | Température de soudage | 260 | 0C |
Caractéristiques électriques
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions de test | Remarque |
| Statique | |||||||
| BVds | Tension de claquage drain-source | 1200 | - | - | V | 4s=0 V, Zd=100 氧 A | |
| A ) ss | Courant de Drain à Tension de Grille Nulle | "—" | 11 | 100 | 丁 s=1200 V Pgs=0 V | ||
| Igss | Fuite Source-Grille | "—" | 10 | 250 | nA | 4s=20 V | |
| FGS(th) | Tension de seuil Grille-Source | 2 | "—" | 4 | V | Id=5 mA, | Fig. 11 |
| &DS(on) | Drain-Source On-Resistance | "—" | 78 | 100 | mQ | \ =20 V, Zd=20 A | Fig. 6 |
| Dynamique | |||||||
| Ciss | Capacité d'entrée | "—" | 1128 | PF | 4s=0 V, \u6bd4 s=1000 V | Fig. 17 | |
| C^oss | Capacité de sortie | "—" | 86 | f^l.OMHz, u74dc =25 mV | |||
| Crss | Capacité de transfert inverse | "—" | 5 | ||||
| Eoss | Coss Stored Energy | - | 44 | 氧 J | Fig. 16 | ||
| Q s | Total Gate Charge | "—" | 52 | nC | moo V | Fig. 12 | |
| figs | Gate-Source Charge | - | 17 | Blood =20 A | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | - | 15 | Fgs=-5/+20 V | |||
| td(cn) | Turn-on Delay Time | "—" | 41 | ns | 4e39 s=800 V | ||
| tr | Turn-on Rise Time | - | 21 | Fgs=-5/+20 V | |||
| Délai d'extinction | "—" | 48 | Id=20A | ||||
| tf | Temps de chute d'extinction | "—" | 16 | Ro ( ext ) =2.5 Q | |||
| RG (int) | Résistance de grille interne | - | 4 | n | E.O MHz, Vac=25 mV | ||
Caractéristiques de la diode de corps, à Tj=25°C, sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions de test | Remarque |
| Is | Courant direct continu de la diode | - | - | 42 | A | Note 1 | |
| Tension directe de la diode | - | 4 | - | V | Kjs=0 V, Zs=10 A | Fig. 8, | |
| 9,10 | |||||||
| trr | Temps de récupération inverse | - | 26 | - | ns | 1s=20 A, s=800 V | |
| 0r | Charge de récupération inverse | - | 163 | - | nC | %s= \ 5 V | Note 1 |
| Zrrm | Courant de récupération inverse de crête | 12 | A | di/dt=2100 A/us |
Caractéristiques thermiques
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Remarque |
| Rbjc | Résistance thermique de la jonction au boîtier | / | 0.68 | / | 0c/w | Fig. 20 |
Schéma du circuit de test
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