symbole

valeur

unité

I T(RMS)

1

A

V DRM /V RRM

600/800

V

V _TM

\u22641.5

V

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Plage de température de jonction de stockage

T _stg

-40~150

°C

Plage de température de jonction de fonctionnement

T _j

-40~125

°C

Tension de crête répétitive (T _j =25 °C )

V _DRM

600/800

V

Tension inverse de crête répétitive (T _j =25 °C )

V _RRM

600/800

V

Courant efficace sur l'état passant

I T(RMS)

1

A

Courant de pointe non répétitif sur l'état passant (cycle complet, F=50Hz)

I _TSM

16

A

I ² valeur de t pour fusionner (t _p =10ms)

I 2 t

1.28

A 2 s

Taux critique de montée du courant de l'état passant (I _G =2×I _GT )

dI/dt

I - II - III

50

A/ μs

IV

10

Peak gate current

I _GM

2

A

Puissance moyenne dissipée à la grille

P G(AV)

0.5

W

Puissance de crête à la grille

P _GM

5

W

Paramètre

Condition de test

Quadrant

Valeur

Unité

T

D

I _GT

V _D =12V, R _L =33Ω

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MAX

3

5

mA

IV

5

10

V _GT

I-II-III-IV

1.3

V

V _GD

V D =V DRM

I-II-III-IV

MIN

0.2

V

I _H

I _T =100mA

MAX

5

7

mA

I _L

I _G =1.2I _GT

I-II-III

MAX

5

5

mA

II

10

20

dV/dt

V _D =0.66×V _DRM T _j =125 °C Gate open

MIN

20

50

V/µs

Symbole

Condition de test

Valeur

Unité

V _TM

I _TM =1.4A t _p =380μs

T _j =25 °C

MAX

1.5

V

I _DRM I _RRM

V DRM = V RRM

T _j =25 °C

MAX

5

µA

T _j =125 °C

0.5

mA

Symbole

Condition de test

Valeur

Unité

R th(j-c)

jonction au boîtier (AC)

TO-92

60

°C /W

SOT-89/SOT-223 SOT-223-2L

31

°C /W