symbole

valeur

unité

Je T(RMS)

2

A

V DRM /V RRM

800

V

V _TM

\u22641.5

V

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Plage de température de stockage de la jonction

T _stg

-40~150

℃

Plage de température de jonction de fonctionnement

T _j

-40~125

℃

Tension de crête répétitive hors état (T _j =25 ℃ )

V _DRM

800

V

Tension de crête inverse répétitive (T _j =25 ℃ )

V _RRM

800

V

Courant efficace en état de conduction

Je T(RMS)

2

A

Courant de pointe en régime non répétitif (cycle complet, F=50Hz)

Je _TSM

20

A

Je ² valeur de t pour fusionner (t _p =10ms)

Je 2 t

2

A 2 s

Taux critique de montée du courant à l'état passant (I _G =2×I _GT )

dI/dt

I - II - III

50

A/ μs

IV

10

Peak gate current

Je _GM

2

A

Puissance moyenne dissipée par grille

P G(AV)

0.5

W

Puissance de crête de la grille

P _GM

5

W

Paramètre

Condition de test

Quadrant

Valeur

Unité

Je _GT

V _D =12V, R _L =33Ω

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MAX

10

mA

V _GT

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

1.3

V

V _GD

V D =V DRM

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MIN

0.2

V

Je _H

Je _T =100mA

MAX

10

mA

Je _L

Je _G =1.2I _GT

\u2160-\u2162

MAX

10

mA

II

15

dV/dt

V _D =0.66\u00d7V _DRM T _j =125 ℃

Porte ouverte

MIN

20

V/ µs

Symbole

Condition de test

Valeur

Unité

V _TM

Je _TM =3.5A t _p =380μs

T _j =25 ℃

MAX

1.5

V

Je _DRM Je _RRM

V DRM = V RRM

T _j =25 ℃

MAX

5

µA

T _j =125 ℃

0.5

mA