YZPST-S4A010120A
P/N:YZPST-S4A010120A Diode Schottky SiC
Diode Schottky en carbure de silicium
Caractéristiques
Courant de récupération inverse nul
Tension de récupération directe nulle
Coefficient de température positif sur VF
Commutation indépendante de la température
Température de jonction de fonctionnement de 175°C
Avantages
Remplacer le dispositif bipolaire par unipolaire
Réduction de la taille du dissipateur de chaleur
Dispositifs parallèles sans emballement thermique
Pertes de commutation pratiquement nulles
Applications
Alimentations à découpage
Correction du facteur de puissance
Entraînement de moteur, onduleur PV, station éolienne
P / N : YZPST - S 4 A 01012 0 A SiC Schottky Diode
Silicon Carbure Schottky Diode
Caractéristiques
Courant de récupération inverse nul
Tension de récupération directe nulle
Coefficient de température positif sur VF
Commutation indépendante de la température
Température de jonction de fonctionnement de 175°C
Avantages
Remplacer Bipolaire par Dispositif Unipolaire
Réduction de la Taille du Dissipateur de Chaleur
Dispositifs Parallèles Sans Emballement Thermique
Pratiquement Aucune Perte de Commutation
Appl ications
Alimentations à Découpage
Correction du Facteur de Puissance
Entraînement de Moteur, Onduleur PV, Station Éolienne
Max imum Ratings
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions de test | Remarque |
| VRRM | Tension de crête inverse répétitive | 1200 | V | TC = 25C | |
| VRSM | Surge Peak Reverse Voltage | 1200 | V | TC = 25C | |
| VR | DC BlockingVoltage | 1200 | V | TC = 25C | |
| 30 | TC ≤ 25C | ||||
| IF | Courant direct | 14 | A | TC ≤ 135C | |
| 10 | TC ≤ 150C | ||||
| IFSM | Courant de pointe non répétitif | 95 | A | TC = 25C, tp = 8.3ms, Demi-onde sinusoïdale | |
| Ptot | Dissipation de puissance | 150 | W | TC = 25C | Fig.3 |
| TC | Température maximale du boîtier | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Température de jonction en fonctionnement et température de stockage | -55 à 175 | C | ||
| Couple de serrage de montage TO-220 | 1 | Nm | Vis M3 |
Électrique Charac teristiques
| Symbole | Paramètre | Typ. | Max. | Unité | Conditions de test | Remarque |
| VF | Tension directe | 1,55 | 1,8 | V | IF = 10A, TJ = 25C | Fig.1 |
| 2,2 | 2,5 | IF = 10A, TJ = 175C | ||||
| Courant inverse | 2 | 20 | A | VR = 1200V, TJ= 25C | Fig.2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200V, TJ= 175C | |||
| 650 | VR = 0V, TJ= 25C, f = 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f =1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f =1MHz | |||||
| C | Capacité totale | 49 | / | pF | Fig.5 | |
| 40 | ||||||
| Charge Capacitive Totale | / | nC | VR = 800V, IF = 10A | Fig.4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200A/µs, TJ= 25C |
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