YZPST-M1A025120L
YZPST-M1A025120L
N-Channel SiC Power MOSFET
Caractéristiques
Haute tension de blocage avec faible résistance à l'état passant
Commutation rapide avec faible capacitance
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Avantages
Efficacité du système accrue
Exigences de refroidissement réduites
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Alimentations électriques
Convertisseurs DC/DC haute tension
Commandes de moteur
Alimentations à découpage
Applications de puissance pulsée
YZPST-M 1 A 025120 L
N - Channel SiC Power MOSFET
Caractéristiques
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
Commuation rapide avec faible capacitance
Facile à paralléliser et simple à piloter
Avantages
Efficacité système plus élevée
Exigences de refroidissement réduites
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système augmentée
Applications
Alimentations
Convertisseurs DC/DC haute tension
Commandes de moteur
Alimentations à découpage
Applications de puissance pulsée
Caractéristiques maximales (TC=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | TestConditions | Note |
| VDSmax | Drain-SourceVoltage | 1200 | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGSmax | Gate-SourceVoltage | -0.4 | V | Valeurs absolues maximales | |
| VGSop | Gate-SourceVoltage | -0.25 | V | Valeurs opérationnelles recommandées | |
| ID | Courant de drain continu | 65 | A | VGS=20V, Tc=25C | |
| 43 | VGS=20V, Tc=100C | ||||
| ID (impulsion) | Courant de drain pulsé | 200 | A | Largeur d'impulsion tplimitée par TJmax | |
| PD | Dissipation de puissance | 370 | W | Tc=25C, TJ=150C | |
| TJ, TSTG | FonctionnementJunction et Stockage | -55 à +150 | C | ||
| Température |
Caractéristiques électriques (TC=25C sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | TestConditions | Note |
| V(BR)DSS | Tension de claquage drain-source | 1200 | / | / | V | VGS=0V,ID=100μA | |
| VGS(th) | Tension de seuil de la grille | 1.9 | 2.4 | 4 | V | VDS=VGS,ID=15mA | Fig.11 |
| / | 1.7 | / | VDS=VGS,ID=15mA,TJ=150C | ||||
| IDSS | Courant de drain à tension de grille nulle | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V,VGS=0V | |
| IGSS+ | Courant de fuite grille-source | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=25V | |
| IGSS- | Courant de fuite grille-source | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V,VGS=-10V | |
| RDS(on) | Drain-SourceOn-StateResistance | / | 25 | 34 | mΩ | VGS=20V,ID=50A | Fig. |
| / | 43 | / | VGS=20V,ID=50A,TJ=150C | 4,5,6 | |||
| Ciss | InputCapacitance | / | 4200 | / | VGS=0V | Fig. | |
| Coss | OutputCapacitance | / | 250 | / | pF | VDS=1000V | 15,16 |
| Crss | ReverseTransferCapacitance | / | 16 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss StoredEnergy | / | 126 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Allumer-Énergie de commutation | / | 1.8 | / | J | VDS=800V,VGS=-5V/20VID=50A,RG(ext)=2.5Ω,L=412μH | |
| EOFF | Éteindre-Énergie de commutation | / | 0.6 | / | |||
| td(on) | Temps de retard d'allumage | / | 15 | / | |||
| tr | Temps de montée | / | 12 | / | ns | VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=50ARG(ext)=2.5Ω,RL=16Ω | |
| td(off) | Temps de retard d'extinction | / | 34 | / | |||
| tf | Temps de chute | / | 7 | / | |||
| RG(int) | Résistance interne de la grille | / | 2.1 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| GS | Charge de grille à source | / | 54 | / | VDS=800V | ||
| GD | Porte de Drain de Charge | / | 29 | / | nC | VGS=-5V/20V | |
| G | Charge Totale de la Grille | / | 195 | / | ID=50A |
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