YZPST-G15T60FS
Fonctionnalités
600V,15A
V CE(sat)(typ.) =1.8V@V GE =15V,I C =15A
Haute vitesse commutation
Système supérieur efficacité
Désactivation douce du courant formes d'onde
Carré RBSOA
Description générale
YZPST Les IGBT de tranchée offrent des pertes plus faibles et une efficacité énergétique plus élevée pour des applications telles que le chauffage par induction (IH), les onduleurs, les onduleurs généraux et d'autres applications de commutation douce.
Valeurs maximales absolues
|
Symbole |
Paramètre |
Valeur |
Unités |
|
V CES |
Tension collecteur-émetteur |
600 |
V |
|
V GES |
Tension grille-émetteur |
+ 20 |
V |
|
Je C |
Courant collecteur continu ( T C =25 °C ) |
14 |
A |
|
Courant collecteur continu ( T C =100 °C ) |
8 |
A |
|
|
Je CM |
Courant collecteur pulsé (Note 1) |
45 |
A |
|
Je F |
Courant direct continu de la diode (T C =100 °C ) |
8 |
A |
|
Je FM |
Courant direct maximum de la diode (Note 1) |
45 |
A |
|
t sc |
Temps de tenue en court-circuit |
10 |
us |
|
P D |
Puissance maximale dissipée (T C =25 °C ) |
28 |
W |
|
Puissance maximale dissipée (T C =100 °C ) |
11 |
W |
|
|
T J |
Plage de température de jonction de fonctionnement |
-55 à +150 |
°C |
|
T STG |
Plage de température de stockage |
-55 à +150 |
°C |
Caractéristiques thermiques
|
Symbole |
Paramètre |
Max. |
Unités |
|
R th j-c |
Résistance thermique, jonction-boîtier pour IGBT |
4.4 |
°C / W |
|
R th j-c |
Résistance thermique, jonction-boîtier pour diode |
5.2 |
°C / W |
|
R th j-a |
Résistance thermique, jonction-ambiante |
65 |
°C / W |
Pour plus d'informations sur YZPST-G15T60FS veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé " YZPST-G15T60FS "
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