YZPST-G15N65T
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Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
DESCRIPTION
http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured
Caractéristiques

Température maximale de jonction 150°C
Haute tension de rupture jusqu'à 650V pour une fiabilité améliorée
Classé Court-Circuit
Très faible tension de saturation:
VCE(SAT) = 1,65V (Typ.) @ IC = 15A
Formes d'onde d'extinction de courant doux

VCE

650

V

IC

15

A

VCE(SAT) IC=15A

1.65

V

Applications

Applications de commutation douce
Climatisation
Onduleur de commande moteur

Produit

Paquet

Emballage

YZPST-15N65T1

TO-220

Tube

YZPST-15N65T1

TO-263

Tube

YZPST-15N65T1

TO-220F

Tube

Valeurs maximales uff08Tj= 25 C sauf indication contraire uff09

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension de claquage collecteur-émetteur

VCE

650

V


Courant collecteur DC, limité par Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



IC



30
15



Un


Courant direct de la diode, limité par Tjmax
TC = 25°C
TC = 100°C



SI



30
15



Un

Tension continue grille-émetteur

VGE

±20

V

Tension transitoire grille-émetteur

VGE

±30

V


Désactivez la zone de fonctionnement sécuritaire VCE 650V,
Tj \[≤] 150°C


-

60

Un

Courant collecteur pulsé, VGE=15V, tp limité par Tjmax

ICM

45

Un

Temps de tenue en court-circuit, VGE= 15V, VCE≤ 400V

Tsc

5

μs

Dissipation de puissance TO-220F, Tj=25℃

Ptot

27

W

TO-220,TO-263, Dissipation de puissance , Tj=25℃

Ptot

105

W

Température de jonction en fonctionnement

Tj

-40...+150

°C

Température de stockage

Ts

-55...+150

°C

Température de soudage, soudage par vague à 1,6 mm (0,063 pouce) du boîtier pendant 10 secondes


-


260


°C


Résistance thermique
Paramètre

Symbole

TO-220,TO-263

TO-220F

Unité

Résistance thermique IGBT, jonction - boîtier

Rθ(j-c)

1.2

4.9

K/W

Résistance thermique de la diode, jonction - boîtier

Rθ(j-c)

2.38

5.8

K/W

Résistance thermique, jonction - ambiant

Rθ(j-a)

62.5

K/W

Caractéristiques électriques du IGBT (Tj= 25℃ sauf indication contraire)

Symbole

Paramètre

Conditions de test

Min.

Typ.

Max.

Unités

Caractéristiques statiques (testées sur plaquettes)

BVCES


Rupture collecteur-émetteur
Tension


VGE = 0V, IC = 1mA

650

-

-

V

VCE(SAT)


Saturation du collecteur à l'émetteur
Tension


IC = 15A, VGE = 15V

-

1.65

1.95

V

VGE(th)

Tension de seuil G-E

VGE = VCE, IC = 250μA

4.1

5.0

5.7

V

ICES

Courant de coupure du collecteur

VCE = 650V, VGE = 0V

-

-

25

μA

IGES

Courant de fuite G-E

VGE = ±120V, VCE = 0V

-

-

±200

nA

gfs

Transconductance

VCE=20V, IC=15A

-

10

-

S


Paramètre

Symbole

Conditions

Min

Typ

Max

Unité

Dynamique

Capacité d'entrée

Cies


VCE = 25V, VGE = 0V,
f = 1MHz

-

990

-


pF

Capacité de sortie

Coes

-

56

-

Capacité de transfert inverse

Cres

-

30

-

Charge de portes

QG

VCC = 480V, IC = 15A, VGE = 15V

-

92

-

nC

Courant collecteur de court-circuit

IC(SC)

VGE=15V,tSC≥5us VCC=400V,
Tj, démarrage à 25°C


-


98


-


Un


Caractéristique de commutation, Charge inductive (Tj= 25℃ sauf indication contraire)
Paramètre

Symbole

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unité

Dynamique

Délai de mise en marche

td(on)




Tj=25°C VCC = 400V, IC = 15A,
VGE = 0/15V, Rg=12Ω


-

15

-

ns

Temps de montée

tr

-

25

-

ns

Délai d'extinction

td(off)

-

60

-

ns

Temps d'automne

tf

-

46

-

ns

Turn-on Energy

Eon

-

0.75

-

mJ

Éteindre l'énergie

Eoff

-

0.1

-

mJ


Caractéristiques électriques de la DIODE (Tj= 25℃ sauf indication contraire)
Paramètre

Symbole

Conditions

Min

Typ

Max

Unité

Dynamique

Tension directe de la diode

VFM

IF = 15A

-

1.7

-

V

Temps de récupération inverse

Trr


IF= 15A VR = 300V,
di/dt =200A/ μs

-

50

-

ns

Courant de récupération inverse

Irr

-

4

-

Un

Charge de récupération inverse

Qrr

-

83

-

nC

Pour plus d'informations sur les IGBT, veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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