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YZPST-STW20NM60

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Produits

Produit chaud

YZPST-A1237NC280

YZPST-R0929LC10 (TQ_10US)

YZPST-C712L

YZPST-T171-320-10

YZPST-FR1000AX50

YZPST-STW20NM60

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YZPST-STW20NM60

YZPST-STW20NM60.pdf

YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts 20200518.pdf

description1

Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement

DESCRIPTION

http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured

Caractéristiques

Haute robustesse

Faible RDS(ON) (Typ 0.22Ω)@VGS=10V

Faible charge de grille (Typ 84nC)

Capacité améliorée de dv/dt

100% Testé Avalanche

Application: UPS, Charge, PC Power ,Inverter

Description générale
Ce MOSFET de puissance est produit avec une technologie avancée de Promising Chip.

Cette technologie permet au MOSFET de puissance d'avoir de meilleures caractéristiques, y compris un temps de commutation rapide, une faible résistance à l'état passant, une faible charge de grille et surtout d'excellentes caractéristiques d'avalanche.

Valeurs maximales absolues

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VDSS	Tension de drain à la source	600	V
ID	Courant de drain continu (@Tc=25℃)	20*	Un
ID	Courant de drain continu (@Tc=100℃)	12*	Un
IDM	Courant de drain pulsé	78	Un
VGS	Tension de la grille à la source	±30	V
EAS	Énergie d'avalanche pulsée unique	1284	mJ
OREILLE	Énergie d'avalanche pulsée répétitive	97	mJ
dv/dt	Pic de la récupération du dv/dt de la diode	5	V/ns
PD	Puissance totale dissipée (@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Facteur de déclassement au-dessus de 25°C	0.32	W/C
TSTG,TJ	Température de jonction de fonctionnement et température de stockage	-55~+150	℃
TL	Température maximale de la soudure, 1/8 à partir du boîtier pendant 5 secondes	300	℃

*Le courant de drain est limité par la température de jonction Caractéristiques thermiques:

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
Rthjc	Résistance thermique, Jonction au boîtier	3.1	℃/W
Rthja	Résistance thermique, Jonction à l'ambiante	49	℃/W

Caractéristiques des notes de diode de source à drain:

Symbole	Paramètre	Conditions de test	Min.	Typ.	Max.	Unité
Est	Courant de source continu	Jonction p-n inverse intégrale diode dans le MOSFET			20	Un
ISM	Courant source pulsé	Jonction p-n inverse intégrale diode dans le MOSFET			80	Un
VSD	Chute de tension directe de la diode	IS =20A VGS = 0V			1.3	V
trr	Temps de récupération inverse	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		494		ns
Qrr	Charge de récupération inverse	IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us		7.3		uC

YZPST peut fournir la liste suivante de MOSFET

Rds(on) mΩ(typ) @Vgs=

MPN

Paquet

Type

VDS (V)

Vgs

Identifiants

Vgs(th)

(nC)

Qgs

Qgd

( Type ")

(V)

(A)

(W)

max (V)

10V 4,5V 2.5V (4.5

(nC)

2301

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 3 A

1 W

- 1 V

6 4 mΩ

8 9 mΩ

3.3

0.7

1.3

2302

S OT 2 3

2 0 V

± 1 0

2 .9 A

1 W

1 . 2 V

3 0 mΩ

3 7 m Ω

0.65

1.2

2305

S OT 2 3

- 2 0 V

± 1 2

- 4 . 8 A

1 . 7 W

- 1 V

4 5 mΩ

6 0 m Ω

7.8

1.2

1.6

3400

S OT 2 3

3 0 V

± 1 2

5 .8 A

1 . 4 W

1 . 4 V

2 8 mΩ

3 1 mΩ

4 5 mΩ

9.5

1.5

3401

S OT 2 3

- 3 0 V

± 2 0

- 4 . 2 A

1 . 2 W

- 1 . 3 V

5 0 mΩ

6 4 mΩ

9 5 mΩ

9.5

1 0N 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

1 0 A

2 . 5 W

3 V

7 .5 mΩ

5.5

3.5

2 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

2 0 A

6 0 W

3 V

2 8 mΩ

2.9

3.2

3 0P 0 3

S OP 8

3 0 V

± 2 0

- 3 0 A

6 0 W

3 V

5 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

5 0 A

6 0 W

3 V

5 .9 mΩ

4.5

6 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

6 0 A

4 6 .3 W

1 . 8 V

3 .3 mΩ

8 0N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

8 0 A

8 3 W

4 .8 mΩ

1 00 N 0 3

T O- 2 5 2

3 0 V

± 2 0

1 0 0 A

1 10 W

3 V

4 m Ω

100

6 0N 0 4

T O- 2 5 2

4 0 V

± 2 0

6 0 A

6 5 W

1 . 9 V

8 .5 mΩ

1 2. 5 m Ω

4.5

6.4

4606

S OP - 8

N+P

3 N0 6

S OT - 22 3

6 0 V

± 2 0

3 A

1 . 7 W

1 . 4 V

105mΩ uff08 MAX ")

125mΩ uff08 MAX ")

1.3

1 5P 0 6

T O- 2 5 2

2 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

2 0 A

4 0 W

3 V

3 7 mΩ

4.1

4.5

2 5P 0 6

T O- 2 5 2

- 6 0 V

± 2 0

- 2 5 A

9 0 W

- 3 . 5 V

4 5 mΩ

9.5

10.5

3 0N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

3 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

5 0N 0 6

T O- 2 5 2

6 0 V

± 2 0

5 0 A

1 20 W

4 V

1 9 mΩ

9.6

10.5

1 10 N 0 6

T O- 2 20 / F

6 0 V

± 2 0

1 1 0 A

1 20 W

2 V

5 .2 mΩ

113

G 10 0 2

T O- 9 2

1 00 V

± 2 0

2 A

1 . 1 W

2 . 5 V

1 8 5 m Ω

5.2

0.75

1.4

5 N1 0

S OT 2 2 3

1 00 V

± 2 0

5 A

3 W

3 V

1 3 5 m Ω

3.2

4.7

1 4N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 4 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

3 0N 1 0

S OP 8

1 00 V

± 2 0

3 0 A

8 5 W

2 . 5 V

2 4 mΩ

1 1N 1 0

T O- 2 5 2

1 00 V

± 2 0

1 1 A

2 8 W

2 . 6 V

8 5 mΩ

1.9

2.8

1 2P 1 0

T O- 2 5 2

- 1 0 0 V

± 2 0

- 1 2 A

4 0 W

- 3 V

1 7 0 m Ω

5 N2 0

T O- 2 5 2

2 00 V

± 2 0

5 A

3 0 W

2 . 5 V

5 2 0 m Ω

2.5

3.8

2 N6 0

T O- 2 52 / 25 1

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 Ω

1.6

4.3

2 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 Ω

1.6

4.3

2 N6 5

T O- 2 5 2

6 50 V

± 3 0

2 A

4 5 W

4 V

5 Ω

1.6

4.3

4 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

4 A

1 00 W

4 V

3 Ω

2.7

4 N6 0

T O- 2 5 2

6 00 V

± 3 0

4 A

3 3 W

4 V

3 Ω

2.7

5 N6 0

T O- 2 2 0

6 00 V

± 3 0

5 A

1 00 W

4 V

2.5 Ω

7.2

6 N6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

6 A

1 40 W

4 V

1.8 Ω

14.5

8 N6 0

T O -

6 00 V

± 3 0

8 A

1 40 W

4 V

1.0 Ω

6.8

1 2N 6 5

T O -

6 50 V

± 3 0

1 2 A

4 V

0.8 Ω

8.6

Je RF 6 4 0

T O -

2 00 V

± 3 0

1 8 A

4 3 W

4 V

0 . 1 4 Ω

Je RF 7 4 0

T O -

4 00 V

± 3 0

1 0. 5 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 4 3 Ω

Je RF 8 4 0

T O -

5 00 V

± 3 0

9 A

4 5 .5 W

4 V

0 . 6 5 Ω

Pour plus d'informations sur le MOSFET, veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "YANGZHOU POSITIONING TECH CO Power thyristor and diode parts"

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