YZPST-SS8550
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YZPST-SS8550

Transistors en plastique TO-92
YZPST-SS8550 TRANSISTOR (PNP)

FONCTIONNALITÉS
 Dissipation de puissance

              PC :1W  (Ta=25 °C)

description1
Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
Introduction du produit

Transistors à boîtier plastique TO-92

TRANSISTOR YZPST-SS8550 (PNP)

Caractéristiques
Puissance dissipée

PC : 1W (Ta=25 C)

O RDER I NG I NF O RMAT I O N

P a rt Nombre

P a ckage

Pa cking Méthode

P ack Quantité

SS8550

TO-92

En vrac

1000pcs/Sac

SS8550-TA

T0-92

Ruban

2000pcs/Box

MAX 1 MUM RAT 1 NGs ( T a =25 unless sinon noté )

symbo l

Paramètre

Valu e

U nit

V CB O

Tension collecteur-base

-40

V

V CE O

Tension collecteur-émetteur

-25

V

V EB O

Tension émetteur-base

-5

V

I C

Collecteur Courant Continu

- 1.5

A

P D

Collecteur Puissance Dissipée

1000

mW

R θ JA

Résistance thermique de la jonction à l'ambiante

125

℃ / W

T J , T stg

Plage de température de fonctionnement de la jonction et de stockage

-55 - +150

T a =25 unless sinon spécifié

Paramètre symbole Test Min Typ Max Unité
conditions
Collector.base V(BR)CBO IC=- 100uA, IE=0 -40 V
panne
tension
Collecteur.émetteur V(BR)CEO IC=-0. 1mA, IB=0 -25 V
tension de claquage
Émetteur.base V(BR)EBO IE=- 100uA, IC=0 -5 V
panne
tension
Collecteur ICBO VCB=-40V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
courant
Émetteur ICEO VCE=-20V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
courant
Émetteur IEBO VEB=-5V, IC=0 -0. 1 uA
cut.off
courant
DC hFE(1) VCE=- 1V, IC=- 100mA 85 400
courant
gain hFE(2) VCE=- 1V, IC=-800mA 40
Collecteur.émetteur VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -0.5 V
saturation
tension
Base.emitter VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -1.2 V
tension de saturation
Base.emitter VBE(on) VCE=- 1V, IC=- 10mA -1 V
tension
dehors Cob VCB=- 10V, IE=0mA,f=1MHZ 20 pF
capacité
Transition fT VCE=- 10V, IC=-50mA,f=30MHZ 100 MHz
fréquence

To.92 Dimensions du boîtier

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