YZPST-SP50N80FX
Transistor MOSFET de puissance N-canal 800V
YZPST-SP50N80FX
CARACTÉRISTIQUES
Commutation rapide
Testé à 100% en avalanche
Capacité dv/dt améliorée
APPLICATIONS
Alimentation à découpage (SMPS)
Alimentation sans coupure (UPS)
Correction du facteur de puissance (PFC)
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Informations de commande de dispositif Marquage Emballage |
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Numéro de commande |
Paquet |
Marquage |
Emballage |
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SP50N80FX |
SOT-227 |
SP50N80FX |
Tube |
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Caractéristiques électriques maximales absolues T C = 25°C, sauf indication contraire |
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Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
|
Tension Drain-Source (V GS = 0V) |
V DSS |
800 |
V |
|
Courant de Drain Continu |
I D |
50 |
A |
|
Pulsé Drain Courant (note1) |
I DM |
200 |
A |
|
Tension grille-source |
V GSS |
\u00b1 30 |
V |
|
Impulsion unique Avalanche Énergie (note2) |
E AS |
4500 |
mJ |
|
Répétitif Avalanche Énergie (note1) |
E AR |
60 |
mJ |
|
Puissance dissipée (T C = 25ºC) |
P D |
690 |
W |
|
Plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement |
T J , T stg |
-55~+150 |
°C |
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Attention: Des contraintes supérieures à celles indiquées dans les 'Caractéristiques absolues maximales' peuvent causer des dommages permanents au dispositif. |
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Résistance thermique |
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Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
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|
Résistance thermique, jonction-boîtier |
R thJC |
0.18
|
°C/W |
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|
Résistance thermique, jonction-ambiante |
R thJA |
40 |
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|
Spécifications T J = 25°C, sauf indication contraire |
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Paramètre |
Symbole |
Conditions de test |
Valeur |
Unité |
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|
Min. |
Typ. |
Max. |
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Statique |
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Tension de claquage Drain-Source |
V (BR)DSS |
V GS = 0V, I D = 250µA |
800 |
-- |
-- |
V |
|
Zero Gate Voltage Drain Current |
I DSS |
V DS =800, V GS = 0V, T J = 25ºC |
-- |
-- |
1.0 |
µA |
|
Gate-Source Leakage |
I GSS |
V GS = \u00b1 30V |
-- |
-- |
\u00b1 100 |
nA |
|
Tension de seuil grille-source |
V GS(th) |
I DS = 250µA |
2.5 |
-- |
4.5 |
V |
|
Résistance drain-source (Note3) |
R DS(on) |
V GS = 10V, I D = 25A |
-- |
120 |
130 |
mΩ |
|
Dynamique |
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|
Capacité d'entrée |
C iss |
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1.0MHz |
-- |
14600 |
-- |
pF |
|
Capacité de sortie |
C oss |
-- |
1300 |
-- |
||
|
Capacité de transfert inverse |
C rss |
-- |
66 |
-- |
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|
Charge totale de grille |
Q g |
V DD =400V, I D =50A, V GS = 10V |
-- |
360 |
-- |
nC |
|
Charge Source-Porte |
Q gs |
-- |
80 |
-- |
||
|
Charge Drain-Porte |
Q gd |
-- |
120 |
-- |
||
|
Temps de retard d'allumage |
t d(on) |
V DD = 400V, I D =50A, R G = 10 Ω |
-- |
110 |
-- |
ns |
|
Temps de montée d'allumage |
t r |
-- |
200 |
-- |
||
|
Temps de retard d'extinction |
t d(off) |
-- |
160 |
-- |
||
|
Temps de chute d'extinction |
t f |
-- |
185 |
-- |
||
|
Caractéristiques de la diode de corps drain-source |
||||||
|
Courant continu de la diode de corps |
I S |
T C = 25 C |
-- |
-- |
50 |
A |
|
Courant direct avant impulsion de la diode |
I SM |
-- |
-- |
400 |
||
|
Tension de la diode de corps |
V SD |
T J = 25C, I SD = 25A, V GS = 0V |
-- |
-- |
1.4 |
V |
|
Temps de récupération inverse |
t rr |
V GS = 0V,I S = 50A, di F /dt =100A /μs |
-- |
520 |
-- |
ns |
|
Charge de récupération inverse |
Q rr |
-- |
5.0 |
-- |
μC |
|
Notes
1. Répétitif Évaluation: Largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale
2. V DD = 50V, R G = 25 Ω, Démarrage T J = 25 ºC
Test d'impulsion: Largeur d'impulsion ≤ 300μs, Cycle de service ≤ 1%
Pour plus d'informations sur YZPST-SP50N80FX veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé ' YZPST-SP50N80FX '
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