YZPST-SKM195GB066D
Module de puissance IGBT Type: YZPST-SKM195GB066D
Applications
Onduleur pour commande de moteur
Amplificateur de commande de servo AC et DC
UPS (Alimentations sans coupure)
Machine de soudage à commutation douce
Caractéristiques
Faible Vce(sat) avec technologie Trench Field-stop
Vce(sat) avec coefficient de température positif
Y compris une récupération rapide et douce FWD en antiparallèle
Capacité élevée de court-circuit (10µs)
Structure de module à faible inductance
Température de jonction maximale 175℃
Module de puissance IGBT Type: YZPST-SKM195GB066D
Applications
Onduleur pour la commande du moteur
Amplificateur de commande de servo AC et DC
Alimentations sans coupure (UPS)
Machine de soudage à commutation douce
Caractéristiques
Faible Vce(sat) avec la technologie Trench Field-stop
Vce(sat) avec coefficient de température positif
Y compris une récupération rapide et douce FWD en anti-parallèle
Capacité de court-circuit élevée (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Température de jonction maximale 175℃
Absolu Maximum Évaluations
|
Paramètre |
Symbole |
Conditions |
Valeur |
Unit |
|
Tension collecteur-émetteur |
VCES |
VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃ |
650 |
V |
|
Courant collecteur continu |
IC |
Tc=100℃ |
200 |
A |
|
Courant collecteur de crête |
ICRM |
tp=1ms |
400 |
A |
|
Tension grille-émetteur |
VGES |
Tvj=25℃ |
±20 |
V |
|
Dissipation totale de puissance (IGBT-inverter) |
Ptot |
Tc=25℃ Tvjmax=175℃ |
695 |
W |
Caractéristiques IGBT
| Paramètre | Valeur | Unit | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃ | 5.1 | 5.8 | 6.3 | V |
| VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Courant de coupure collecteur-émetteur | ICES | VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Collecteur-Émetteur | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.45 | 1.95 | V | ||
| Tension de saturation | VCE(sat) | Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 1,65 | V | ||
| Capacité d'entrée | Cies | VCE=25V,VGE=0V, | 12,3 | nF | ||
| Capacité de transfert inverse | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 0,37 | nF | ||
| Résistance interne de la grille | Rgint | 1 | Ω | |||
| Temps de retard d'allumage | td(on) | 48 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC = 200 A | 48 | Ns | ||
| Délai d'extinction | td(off) | VCE = 300 V | 348 | Ns | ||
| Temps de chute | tf | VGE = ±15V | 58 | Ns | ||
| Dissipation d'énergie pendant le temps de mise en marche | Eon | RG = 3.6Ω | 2.32 | mJ | ||
| Énergie de Dissipation Pendant le Temps d'Arrêt | Eoff | Tvj=25℃ | 5.85 | mJ | ||
| Temps de retard d'allumage | td(on) | 48 | Ns | |||
| Temps de montée | tr | IC = 200 A | 48 | Ns | ||
| Temps de Retard d'Arrêt | td(off) | VCE = 300V | 364 | Ns | ||
| Temps de chute | tf | VGE = ±15V | 102 | Ns | ||
| Dissipation d'énergie pendant le temps de mise en marche | Eon | RG = 3.6Ω | 3.08 | mJ | ||
| Énergie de Dissipation Pendant le Temps d'Arrêt | Eoff | Tvj = 125℃ | 7.92 | mJ | ||
| SC Data | Isc | Tp ≥ 10μs, VGE = 15V, Tvj = 150℃ , Vcc = 300V, VCEM ≥ 650V | 1000 | A | ||
Caractéristiques de la diode
| Paramètre | Valeur | Unit | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Courant continu direct de la diode | SI | Tc=100℃ | 200 | A | ||
| Courant direct de crête de la diode | IFRM | 400 | A | |||
| IF=200A, Tjv=25℃ | 1,55 | 1.95 | V | |||
| Tension directe | VF | IF=200A, Tjv=125℃ | 1,5 | V | ||
| Paramètre | Valeur | Unit | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Charge récupérée | Qrr | 8.05 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Peak Reverse Recovery Current | Irr | -diF/dt =4200A/us | 148 | A | ||
| Reverse Recovery Energy | Erec | Tvj=25℃ | 1.94 | mJ | ||
| Charge récupérée | Qrr | 16.9 | uC | |||
| IF =200 A | ||||||
| VR=300V | ||||||
| Peak Reverse Recovery Current | Irr | -diF/dt =4200A/us | 186 | A | ||
| Reverse Recovery Energy | Erec | Tvj = 125℃ | 3.75 | mJ | ||
Caractéristiques du module TC=25°C sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unit | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| Tension d'isolation | Visol | t=1min,f=50Hz | 2500 | V | ||
| Température de jonction maximale | Tjmax | 150 | C | |||
| Température de jonction en fonctionnement | Tvj op | -40 | 125 | C | ||
| Température de stockage | Tstg | -40 | 125 | C | ||
| par onduleur IGBT | 0,19 | K/W | ||||
| Jonction au boîtier | Rθjc | par diode-onduleur | 0,31 | K/W | ||
| Boîtier au dissipateur | Rθcs | Graisse conductrice appliquée | 0.085 | K/W | ||
| Module ElectrodesTorque | Mt | Recommandé (M5) | 2.5 | 5 | N · m | |
| Module-to-SinkTorque | Ms | Recommandé (M6) | 3 | 5 | N · m | |
| Poids du module | G | 150 | g | |||
Paquet Dimensions
u200b
Pour plus d'informations sur YZPST-SKM195GB066D veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé " YZPST-SKM195GB066D-R090 "
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