YZPST-ESB150NH40SN
Diode de récupération ultra-rapide au silicium Module de diode
TYPE:YZPST-ESB150NH40SN
Caractéristiques
- Capacité de surtension élevée
- Types de 50 V à600 V VRRM
- Non sensible aux ESD
Silicium Super Rapide Module de Diode de Récupération
TYPE : YZPST- ESB150NH40SN
Caractéristiques
- Capacité de Surtension Élevée
- Types de 50 V à 6 00 V V RRM
- Non sensible à l'ESD
Symbole |
Condition |
Évaluations |
Unité |
Je F(AV)M |
T C =1 0 0°C; 180° sinus |
150 |
A |
Je FRMS |
valeur maximale pour un fonctionnement continu |
|
A |
Je FSM |
T j =25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); sin |
21 00 |
A |
Je 2 t |
T j =25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); sin |
1830 |
kA 2 S |
V iso |
A.C.1minute/1second |
- |
V |
T j |
|
- 40 + 1 75 |
°C |
T stg |
|
- 40 + 150 |
°C |
M |
couple de serrage; \u00b115% |
4 |
Nm |
couple de serrage des bornes; \u00b115% |
3 |
Nm |
|
W |
environ. |
95 |
g |
Je RRM |
AtV RRM uff0c Monophasé uff0c demi-onde uff0c T j =1 00 °C |
1 |
mA |
V FM |
Courant de l'état passant 150 A uff0c T j =25°C |
1. 40 |
V |
V F0 |
T j =150°C |
- |
V |
r F |
T j =150°C |
- |
mΩ |
t rr |
T j =25°C; I F = 150 A; -di F /dt = 300 A/ ; V R = 200 V; |
120 |
ns |
Q rr |
T j =150°C; I F = 50A; -di F /dt = 100A/ ; V R = 100V |
- |
nous |
Je RM |
- |
A |
|
R th(j-c) |
Par module |
0. 12 |
°C/W |
R th(c-h) |
Par module |
- |
°C/W |
Dessin de contour