YZPST-ESB150NH40SN

YZPST-ESB150NH40SN

Diode de récupération ultra-rapide au silicium Module de diode

TYPE:YZPST-ESB150NH40SN

Caractéristiques

  • Capacité de surtension élevée
  • Types de 50 V à600 V  VRRM 
  • Non sensible aux ESD
description1
Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
Module de diode à récupération ultra-rapide au silicium de 150 A à haute capacité de surtension YZPST-ESB150NH40SN

Silicium Super Rapide Module de Diode de Récupération

TYPE : YZPST- ESB150NH40SN

Caractéristiques

  • Capacité de Surtension Élevée
  • Types de 50 V à 6 00 V V RRM
  • Non sensible à l'ESD



Symbole

Condition

Évaluations

Unité

Je F(AV)M

T C =1 0 0°C; 180° sinus

150

A

Je FRMS

valeur maximale pour un fonctionnement continu

A

Je FSM

T j =25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); sin

21 00

A

Je 2 t

T j =25°C; t = 8,3 ms (50 Hz); sin

1830

kA 2 S

V iso

A.C.1minute/1second

-

V

T j

- 40 + 1 75

°C

T stg

- 40 + 150

°C

M

couple de serrage; \u00b115%

4

Nm

couple de serrage des bornes; \u00b115%

3

Nm

W

environ.

95

g

Je RRM

AtV RRM uff0c Monophasé uff0c demi-onde uff0c T j =1 00 °C

1

mA

V FM

Courant de l'état passant 150 A uff0c T j =25°C

1. 40

V

V F0

T j =150°C

-

V

r F

T j =150°C

-

t rr

T j =25°C; I F = 150 A; -di F /dt = 300 A/ ; V R = 200 V;

120

ns

Q rr

T j =150°C; I F = 50A; -di F /dt = 100A/ ; V R = 100V

-

nous

Je RM

-

A

R th(j-c)

Par module

0. 12

°C/W

R th(c-h)

Par module

-

°C/W

Dessin de contour

NOUS CONTACTER