YZPST-PWA-150A06

YZPST-PWA-150A06

Modules de thyristor   TYPE:YZPST-PWA150SA-4
Ce produit est un module de thyristor adapté aux applications de redresseur triphasé basse tension.

·IT(AV) 150A (chaque dispositif)
·Courant de crête élevé 3000 A (60Hz)
·Construction facile
·Non isolé. Base de montage en tant que borne anode commune
Applications
·Alimentation électrique de soudage
·Diverses alimentations électriques CC

description1
Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
Introduction du produit

Modules de thyristor TYPE: YZPST-PWA150SA-4

Ce produit est un module thyristor adapté aux applications de redresseur triphasé basse tension.

· IT(AV) 150A (chaque dispositif)
· Courant de surtension élevé 3000 A (60Hz)
· Construction facile
· Non isolé. Base de montage en tant que borne anode commune
Applications
· Alimentation électrique de soudage
· Diverses alimentations électriques en courant continu

Caractéristiques maximales

Symbole

Condition

Évaluations

Unité

I T(AV)

Monophasé, demi-onde, conduction à 180°, T C =116°C

150

Un

I TRMS

Monophasé, demi-onde, conduction à 180°, T C =116°C

230

Un

I TSM

T j =150°C

3000

Un

I 2 t

T j =150°C

38

kA 2 S

V DRM /V RRM

400/400

V

di/dt

non-repetitive

100

A/nous

V iso

A.C.1minute

3000

V

T j

-30 ~ + 150

°C

T stg

-30 ~ + 125

°C

W

approximatif

250

g

Caractéristiques électriques

Symbole

Condition

Évaluations

Unité

I DRM bsp/I RRM

AtV DRM ,Monophasé,demi-onde,T j =150°C

40

mA

V TM

Courant de l'état actif 450A,T j =150°C

1.2

V

V T(TO)

T j =150°C

-

V

t gd

T j =25°C

-

us

t q

T j =150°C

-

us

I GT /V GT

T j =25°C

100 / 3.0

mA/V

V GD

V D =67%V DRM , T j =150°C

0.25

V

DV/DT

V D =67%V DRM

200

V/us

I H

T j =25°C

-

mA

I L

T j =25°C

-

mA

R th(j-c)

Par module

0.15

0C/W

Dessin de contour

NOUS CONTACTER