YZPST-MJD31C
DESCRIPTION :
Le MJD31C est un transistor de puissance NPN au silicium conçu pour des applications de commutation linéaire de puissance moyenne.
Transistors de puissance NPN au silicium
P/N: YZPST-MJD31C
DESCRIPTION :
Le MJD31C est un transistor de puissance NPN au silicium conçu pour des applications de commutation linéaire de puissance moyenne.
VALEURS LIMITES ABSOLUES
|
Symbole |
Paramètre |
Valeur |
Unité |
|
VCBO |
Tension collecteur-base |
100 |
V |
|
VCEO |
Tension collecteur-émetteur |
100 |
V |
|
VEBO |
Tension émetteur-base |
5 |
V |
|
IC |
Courant collecteur continu |
3 |
A |
|
ICM |
Courant collecteur impulsionnel |
5 |
A |
|
IB |
Courant de base |
1 |
A |
|
PTOT |
Dissipation totale à Tcase=25 ℃ |
15 |
W |
|
Tj |
Température de jonction |
150 |
℃ |
|
Tstg |
Plage de température de stockage |
-55 ～ 150 |
℃ |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25°C, sauf indication contraire)
|
Symbole |
Paramètre |
Condition de test |
Valeur |
Unité |
||
|
Min |
Type |
Max |
||||
|
ICEO |
Courant de coupure du collecteur |
VCE= 60 V |
|
|
0.3 |
mA |
|
IEBO |
Courant de coupure de l'émetteur |
VEB= 5 V |
|
|
1 |
mA |
|
VCEO(SUS) |
Tension de maintien collecteur-émetteur |
IC= 30mA |
100 |
|
|
V |
|
VCEsat |
Saturation collecteur-émetteur Tension |
IC=3A IB=0.375A |
|
|
1.2 |
V |
|
VBE |
Base-Emitter On Voltage |
IC=3A; VCE=4V |
|
|
1.8 |
V |
|
hFE-1 |
DC current gain |
IC=1A; VCE=4V |
25 |
|
|
|
|
hFE-2 |
DC current gain |
IC=3A; VCE=4V |
10 |
|
50 |
|
|
fT |
Fréquence de transition |
IC=0.5A; VCE=10V |
3 |
|
|
MHz |
DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
Produits Associés
