.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
YZPST-M2A016120L
N-Channel SiC Power MOSFET P/N: YZPST-M2A016120L
Caractéristiques
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
Commutation rapide avec faible capacitance
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Avantages
Efficacité du système accrue
Exigences de refroidissement réduites
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Énergie renouvelable
Chargeurs de batterie pour VE
Convertisseurs CC/CC haute tension
Alimentations à découpage
.jpg)
Transistor à effet de champ SiC N-canal P/N: YZPST-M2A016120L
Caractéristiques
Haute tension de blocage avec faible résistance à l'état passant
Commutation rapide avec faible capacitance
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Avantages
Efficacité système plus élevée
Exigences de refroidissement réduites
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Énergies renouvelables
Chargeurs de batterie pour véhicules électriques
Convertisseurs DC/DC haute tension
Alimentations à découpage
Package
|
Partie Numéro |
Package |
|
M2A016120L |
TO-247-4 |
Maximum Ratings (T C =25 °C un less otherwise specified)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions de test | Remarque |
| VDSmax | Tension drain-source | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmax | Tension grille-source | -8 / +22 | V | Valeurs maximales absolues | |
| VGSop | Tension grille-source |
-4 / +18 |
V | Valeurs opérationnelles recommandées | |
| ID | Courant de drain continu | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Pulsed Drain Current | 250 | A | Pulse width tp limited by TJmax | |
| PD | Power Dissipation | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Température de fonctionnement et de stockage | -55 à +175 | ℃ |
Caractéristiques électriques (T C =25 °C sauf autre sage spécifié)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions de test | Remarque |
| V(BR)DSS | Tension de claquage drain-source | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Tension de seuil de la grille | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Courant de Fuite Source-Grille | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Courant de Fuite Source-Grille | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Résistance d'état passant Drain-Source | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transconductance | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Input Capacitance | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Output Capacitance | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Capacité de transfert inverse | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Énergie stockée Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Mise en marche de l'énergie de commutation | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Éteindre l'énergie de commutation | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Temps de retard de mise en marche | / | 150 | / | |||
| tr | Temps de montée | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Temps de retard d'extinction | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Temps d'automne | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Résistance de grille interne | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Charge de grille à source | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Porte à Drain Charge | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Charge Totale de la Grille | / | 242 | / | ID=40A |
Package Dimensions
Produits Associés
