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YZPST-M2A016120L
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance SiC à canal N P/N : YZPST-M2A016120L
Caractéristiques
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l’état passant
Commutation rapide avec faible capacité
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Avantages
Rendement système supérieur
Besoins de refroidissement réduits
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système augmentée
Applications
Énergies renouvelables
Chargeurs de batterie pour véhicules électriques
Convertisseurs CC/CC haute tension
Alimentations à découpage
Boîtier
Partie Nombre | Boîtier |
M2A016120L | TO-247-4 |
Caractéristiques maximales(TC=25℃ unsauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| VDSmax | Tension drain-source | 1200 | V | VGS=0 V, ID=100 μA | |
| VGSmax | Tension grille-source | -8/+22 | V | Valeurs maximales absolues | |
| VGSop | Tension grille-source | -4/+18 | V | Valeurs de fonctionnement recommandées | |
| ID | Courant de drain continu | 115 | A | VGS=18 V, Tc=25 ℃ | |
| 76 | VGS=18 V, Tc=100 ℃ | ||||
| ID(impulsion) | Courant de drain impulsionnel | 250 | A | Largeur d’impulsion tp limitée par TJmax | |
| PD | Dissipation de puissance | 582 | W | Tc=25 ℃, TJ=175 ℃ | |
| TJ, TSTG | Température de jonction et de stockage en fonctionnement | -55 à +175 | ℃ |
Caractéristiques électriques(TC=25℃ sauf parailleurs spécifié)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| V(BR)DSS | Tension de claquage drain-source | 1200 | / | / | V | VGS=0 V, ID=100 μA | |
| VGS(th) | Tension de seuil de grille | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Courant de drain à tension de grille nulle | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Courant de fuite grille-source | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Courant de fuite grille-source | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Résistance à l’état passant drain-source | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transconductance | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Capacité d'entrée | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Capacitance de sortie | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Capacité de transfert inverse | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Énergie stockée Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Énergie de commutation à l’enclenchement | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Énergie de commutation au blocage | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | / | 150 | / | |||
| tr | Temps de montée | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Temps de retard au blocage | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Temps de descente | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Résistance interne de grille | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Charge grille-source | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Charge grille-drain | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Charge totale de grille | / | 242 | / | ID=40A |
Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
