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YZPST-KP1000A6500V
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
N° de pièce : YZPST-KP1000A/6500V
THYRISTOR DE HAUTE PUISSANCEPOUR COMMANDE DE PHASE APPLICATIONS
Caractéristiques :
. Tous Structure diffuséere
. Gâchette amplificatrice centralete Configuration
. Garanti Temps d’extinction maximal
. Forte dV/dt capacité
. Assemblé sous pression Dispositifce

Blocage - à l'état bloqué
VRRM (1) | V DRM (1) | VRSM (1) |
6500 | 6500 | 6600 |
VRRM = tension inverse de crête répétitive
VDRM = tension de pointe répétitive à l'état bloqué
VRSM = tension inverse de pointe non répétitive (2)
Remarques :
Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj=25 oC sauf indication contraire
sauf indication contraire.
(1) Toutes les valeurs de tension sont spécifiées pour une forme d’onde sinusoïdale appliquée de 50 Hz/60 Hz sur la
plage de température -40 à +125 oC.
(2) Largeur d’impulsion max. 10 ms
(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.
(4) Valeur minimale pour les formes d’onde linéaires et exponentielles
jusqu’à 80 % du VDRM nominal. Gâchette ouverte.
Tj = 125 oC.
(5) Valeur non répétitive.
(6) La valeur de di/dt est établie
conformément à la norme EIA/NIMA RS-397, section 5-2-2-6. La valeur définie serait en plus de celle obtenue à partir d’un circuit d’amortissement, comprenant un condensateur de 0,2 μF et une résistance de 20 ohms en parallèle avec le thyristor
à l’essai.
Courant de fuite inverse de pointe répétitif et à l’état bloqué | IRRM / IDRM | 40 mA 200 mA (3) |
Taux critique de montée de tension | dV/dt (4) | 1000 V/μs |
Conduction - en conduction
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Valeur moyenne maximale à l'état passant courant | IT(AV) | 1000 | A | Sinusoïdale, 180o conduction TC=70 oC | ||
| Valeur efficace du courant à l'état passant courant | ITRMS | 1650 | A | Valeur nominale | ||
| Crête unique surtension cpstcle | ITSM | 18 | kA | 10.0 msec (50Hz), sinusoïdal onde- forme, 180o conduction, Tj = 125 oC | ||
| (non répétitive) courant | ||||||
| I carré t | I2t | 1620 | kA2s | |||
| Courant d'accrochage | IL | 1500 | mA | VD = 24 V; RL= 12 ohms | ||
| Courant de maintien | IH | 500 | mA | VD = 24 V; I = 2,5 A | ||
| Tension de pointe à l'état passant | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000A; Tvj= 125℃ | ||
| Tension de seuil | VÀ | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Pente résistance | rT | 1.01 | mΩ | Tvj= 125℃ | ||
| Critique taux de montée de à l'état passant courant (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Commutation du VDRM < 1500 V, | ||
| non répétitif | ||||||
| Critique taux de montée de à l'état passant courant (6) | di/dt | - | A/μs | Commutation du VDRM < 3500 V |
Déclenchement par gâchette
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Dissipation de puissance de grille de pointe | PGM |
| 50 |
| W | tp = 40 us |
Puissance moyenne de grille totale de puissance | PG(AV) |
| 10 |
| W |
|
Courant de crête de grille | IGM |
| 10 |
| A |
|
Courant de grille requis pour déclencher toutes les unités | IGT |
| 400 |
| mA mA mA | VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Tension de grille requise pour déclencher toutes les unités |
VGT |
| - 2.6 - |
| V V V | VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = VDRM nominale; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Tension négative de crête | VGRM |
| 10 |
| V |
Dynamique
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Temps de retard | td |
|
- |
|
μs | ITM = 1000 A; VD = VDRM nominale Impulsion de grille : VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs |
Temps d'extinction (avec VR = -50 V) |
tq |
|
700 |
|
μs | ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; dV/dt réappliqué = 20 V/μs linéaire jusqu'à 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; cycle de service cpstcle > 0.01% |
Charge de recouvrement inverse | Qrr |
| - |
| μAs | ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
Schéma du boîtier et dimensions.

D'une référence de pièce à un besoin complet en énergie.

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