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YZPST-KP1000A6500V
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
HAUTE PUISSANCE THYRISTOR POUR APPLICATIONS DE COMMANDE DE PHASE
Caractéristiques :
. Toute structure diffusée
. Configuration de la grille d'amplification centrale
. Temps de blocage maximum garanti
. Capacité élevée de dV/dt
. Dispositif assemblé sous pression
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
HAUTE PUISSANCE THYRISTO R POUR PHASE COMMANDE APPLICATIONS
Caractéristiques:
. Tous Structure diffusée re
. Centre Amplifiant Ga Configuration de Té
. Garanti Temps de Conduction Maximum
. Haute dV/dt Capacité
. Assemblé sous Pression Devi ce
Blocage - État d'arrêt
|
VRRM ( 1) |
V DRM ( 1) |
VRSM ( 1) |
|
6500 |
6500 |
6600 |
VRRM = Tension de crête inverse répétitive
VDRM = Tension de crête hors état répétitive
VRSM = Tension de crête inverse non répétitive (2)
Remarques :
Toutes les notes sont spécifiées pour Tj=25°C sauf indication contraire.
sinon indiqué.
(1) Toutes les tensions sont spécifiées pour une forme d'onde sinusoïdale appliquée à 50Hz/60zHz sur la plage de température -40 à +125°C.
(2) Largeur d'impulsion max. de 10 msec.
(3) Valeur maximale pour Tj = 125°C.
(4) Valeur minimale pour une forme d'onde linéaire et exponentielle jusqu'à 80% de VDRM nominale. Porte ouverte.
Tj = 125°C.
waveshape to 80% rated VDRM. Gate open.
Tj = 125 oC.
(5) Valeur non répétitive.
(6) La valeur de di/dt est établie dans
conformément à la norme EIA/NIMA Standard RS-397, Section 5-2-2-6. La valeur définie serait en plus de celle obtenue à partir d'un circuit d'amortissement, comprenant un condensateur de 0,2 µF et une résistance de 20 ohms en parallèle avec le thyristor
sous test.
|
Fuite inverse de crête répétitive et hors état |
IRRM / IDRM |
40 mA 200mA (3) |
|
Taux critique de montée de tension |
dV/dt (4) |
1000 V/μsec |
Conduite - sur l'état
| Paramètre | Symbole | Min . | Max . | Typ . | Unités | Conditions |
| Valeur moyenne maximale de l'état conducteur actuel | Je T ( AV ) | 1000 | A | Sinusoïdal , 180 o conduction T C =70 o C | ||
| Valeur efficace de l'état passant actuel | Je TRMS | 1650 | A | Valeur nominale | ||
| Pic un surge cpstcle | Je TSM | 18 | kA | 10.0 msec (50 Hz ), sinusoïdal onde - forme , 180 o conduction , T j = 125 o C | ||
| (non répétitif) actuel | ||||||
| Je carré t | Je 2 t | 1620 | kA 2 s | |||
| Courant de verrouillage | Je L | 1500 | mA | V D = 24 V; R L = 12 ohms | ||
| Holding current | Je H | 500 | mA | V D = 24 V; Je = 2.5 A | ||
| Tension de crête sur l'état passant | V TM | 2.65 | V | Je TM = 1000A; T vj = 125 ℃ | ||
| Tension de seuil | V À | 1.24 | V | T vj = 125 ℃ | ||
| Pente résistance | r T | 1.01 | m Ω | T vj = 125 ℃ | ||
| Critique taux de montée de sur-s tate actuel (5, 6) | di / dt | 500 | A/ 3bcs | Switching from V DRM < 1500 V, | ||
| non répétitif | ||||||
| Critique taux de montée de sur-s tate actuel (6) | di / dt | - | A/ 3bcs | Switching from V DRM < 3500 V |
Gating
|
Paramètre |
Symbole |
Min . |
Max . |
Typ . |
Unités |
Conditions |
|
Puissance de crête dissipée par la grille |
PGM |
|
50 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Puissance moyenne de la grille dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
|
Courant de gâchette de crête |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Courant de gâchette requis pour déclencher toutes les unités |
IGT |
|
400 |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Tension de gâchette requise pour déclencher toutes les unités |
VGT |
|
- 2.6 - |
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 °C |
|
Peak voltage négatif |
VGRM |
|
10 |
|
V |
Dynamique
|
Paramètre |
Symbole |
Min . |
Max . |
Typ . |
Unités |
Conditions |
|
Temps de retard |
td |
|
- |
|
μs |
ITM = 1000 A; VD = Tension nominale VDRM = Impulsion de gâchette: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0,01 µs; tp = 20 µs |
|
Temps de désactivation avec VR = -50 V |
tq |
|
700 |
|
μs |
ITM = 1000 A; di/dt = 1A/µs; VR > 200 V; Re-application dV/dt = 20 V/µs linéaire à 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01% |
|
Charge de récupération inverse |
Qrr |
|
- |
|
μAs |
ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V |
OUTLINE ET DIMENSIONS DU BOÎTIER.
Produits Associés
