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YZPST-G100HF65D1
Module IGBT 650V 100A YZPST-G100HF65D1
Caractéristiques :
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Conception à faible inductance
Pertes plus faibles et énergie plus élevée
Technologie IGBT Field Stop
Excellente robustesse en cas de court-circuit
Applications générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage et soudage par induction
Applications solaires
Systèmes d'alimentation sans coupure
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Module IGBT 650V 100A YZPST-G100HF65D1
Caractéristiques :
650V100A, VCE(sat)(typ.)=1.80V
Conception à faible inductance
Pertes plus faibles et énergie plus élevée
Technologie IGBT Field Stop
Excellente robustesse en court-circuit
Applications générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage inductif et soudage
Applications solaires
Systèmes UPS
Caractéristiques électriques maximales absolues des IGBT
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 650 | V | |
| VGES | Tension continue grille-émetteur | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Continuous Collector Current | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Pulse Collector Current | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Puissance maximale dissipée (IGBT) | TC = 25°C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Temps de tenue en court-circuit | > 10 | µs | |
| TJ | Température de jonction IGBT maximale | 150 | 0C | |
| TJOP | Plage de température de jonction de fonctionnement maximale | -40 à +150 | 0C | |
| Tstg | Plage de température de stockage | -40 à +125 | 0C | |
Absolu Maximum Ratings of Free wheeling Diode
| VRRM | Tension inverse maximale récurrente préliminaire des pics | 650 | V | |
| Courant direct continu de la diode | TC = 25°C | 200 | ||
| SI | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximum de la diode | 200 | A | |
Électrique Caractéristiques de IGBT à T J = 25°C (Sauf indication contraire)
| Paramètre | Conditions de test | Min | Typ | Max | Unité | ||
| BVCES | Tension de claquage collecteur-émetteur | VGE = 0V, IC = 1mA | 650 | V | |||
| ICES | Collecteur à émetteur | VGE = 0V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Leakage Current | |||||||
| IGES | Gate to Emitter Leakage Current | VGE = ±30V, VCE = 0V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Gate Threshold Voltage | IC = 1mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25°C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Collector to Emitter Saturation Voltage (Module Level) | IC = 100A, VGE = 15V | TJ = 125°C | 2 | V | ||
Caractéristiques de commutation des IGBT
| td(on) | Temps de retard à l'allumage | TJ = 25°C | 60 | ns | |||
| tr | Temps de montée à l'allumage | TJ = 25°C | 55 | ns | |||
| td(off) | Temps de retard à l'extinction | VCC = 400V | TJ = 25°C | 210 | ns | ||
| tf | Temps de chute de désactivation | IC = 100A | TJ = 25°C | 65 | ns | ||
| Eon | Perte de commutation à l'allumage | RG = 10Ω | TJ = 25°C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Perte de commutation d'arrêt | VGE = ±15V | TJ = 25°C | 1 | mJ | ||
| Qg | Charge totale de la grille | Charge inductive | TJ = 25°C | 500 | nC | ||
| Rgint | Résistance de grille intégrée | f = 1M; | TJ = 25°C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacité d'entrée | TJ = 25°C | 3.9 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacité de sortie | VGE = 0V | TJ = 25°C | 0,35 | nF | ||
| Cres | Transfert inverse | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0,25 | |||
| Capacitance | |||||||
| RθJC | Résistance thermique, jonction-boîtier (IGBT) | 0,32 | °C/W | ||||
Caractéristiques électriques et de commutation de la roue libre 1,35 Diode
| 1,35 | TJ = 25°C | Tension directe de la diode | |||||
| IF = 100A , | VGE = 0V | V | |||||
| VGE = 0V | TJ = 125°C | 1.2 | |||||
| trr | Diode Reverse Recovery Time | IF = 100A, | TJ = 25°C | 80 | ns | ||
| Irr | Diode Peak Reverse Recovery Current | di/dt = 550A/µs, Vrr = 400V, | TJ = 25°C | 30 | A | ||
| Qrr | Charge de récupération inverse de diode | TJ = 25°C | 6.2 | uC | |||
| RθJC | Résistance thermique, jonction-boîtier (Diode) | 0.75 | °C/W | ||||
Caractéristiques du module
|
Paramètre |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unité |
|
|
Viso |
Tension d'isolation (Tous les terminaux court-circuités), f = 50Hz, 1 minute |
2500 |
|
|
V |
|
RθCS |
Boîtier-vers-dissipateur (Graisse conductrice appliquée) |
|
0.1 |
|
°C/W |
|
M |
Bornes d'alimentation à vis : M5 |
3.0 |
|
5.0 |
N·m |
|
M |
Mounting Screw: M6 |
4.0 |
|
6.0 |
N·m |
|
G |
Poids |
|
160 |
|
g |
Circuit interne :
Dimension du paquet
Produits Associés
