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YZPST-G100HF120D1
Caractéristiques :
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Conception à faible inductance
Pertes plus faibles et énergie plus élevée
Vitesse de commutation ultra-rapide
Excellente robustesse en cas de court-circuit
Applications Générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage et soudage par induction
Systèmes d'alimentation sans interruption (UPS)
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Module IGBT 1200V 100A P/N:YZPST-G100HF120D1
Caractéristiques :
1200V100A, VCE(sat)(typ.)=3.0V Conception à faible inductance
Pertes inférieures et énergie plus élevée
Vitesse de commutation ultra-rapide
Excellente robustesse en court-circuit
Applications générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage et soudage par induction
Systèmes d'alimentation sans interruption (ASI)
Valeurs maximales absolues des IGBT
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 1200 | V | |
| VGES | Tension continue grille-émetteur | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Courant collecteur continu | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Courant collecteur d'impulsion | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Puissance dissipée maximale (IGBT) | TC = 25°C, | 430 | W |
| tsc | > 10 | µs | ||
| Short Circuit Withstand Time | ||||
| Maximum IGBT Junction Temperature | 150 | °C | ||
| TJ | ||||
| TJOP | ||||
| Plage de température de jonction de fonctionnement maximum | -40 à +150 | °C | ||
| Tstg | Plage de température de stockage | -40 à +125 | °C | |
| VRRM | Tension inverse maximale répétitive des crêtes Données préliminaires | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximum de la diode | 200 | A | |
Caractéristiques maximales absolues de la diode de roue libre
| VRRM | Tension inverse de crête répétitive Données préliminaires | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximum de la diode | 200 | A | |
Caractéristiques de commutation de l'IGBT
| td(on) | TJ°C= 25°C | 30 | |||||
| Turn-on Delay Time | ns | ||||||
| TJ°C= 125°C | 35 | ||||||
| TJ°C= 25°C | 50 | ||||||
| tr | Turn-on Rise Time | TJ°C= 125°C | 55 | ns | |||
| TJ°C= 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Temps de retard d'extinction | TJ°C= 125°C | 390 | ns | |||
| TJ°C= 25°C | 110 | ||||||
| tf | Temps de chute de désactivation | TJ°C= 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ°C= 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Perte de commutation d'allumage | IC = 100A | TJ°C= 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5.6Ω | TJ°C= 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Perte de commutation d'extinction | VGE = 15V | TJ°C= 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Total Gate Charge | Inductive Load | TJ°C= 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Integrated gate resistor | f = 1M; | TJ°C= 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Capacité d'entrée | TJ°C= 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Capacité de sortie | VGE = 0V | TJ°C= 25°C | 1,35 | nF | ||
| Cres | Reverse Transfer | f = 1MHz | TJ°C= 25°C | 0,81 | |||
| Capacitance | |||||||
| RθJC | Thermal Resistance, Junction-to-Case (IGBT) | 0,29 | °C/W | ||||
Package Dimension
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Produits Associés
