YZPST-D100H065AT1S3

YZPST-D100H065AT1S3

Trench Technologie Field-Stop IGBT 

YZPST-D100H065AT1S3

Caractéristiques

    650V, 100A

    VCE(sat)(typ.)  =1.75V@VGE=15V, IC=100A

    Température de jonction maximale 175 

    Placage de plomb sans plomb; Conforme à la directive RoHS

 

Applications

    Convertisseurs solaires

    Alimentation sans coupure

    Convertisseurs de soudage

    Convertisseurs de fréquence de commutation de gamme moyenne à élevée

description1
Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
Introduction du produit

Trench Technologie Field-Stop IGBT

YZPST-D100H065AT1S3

Caractéristiques

650V, 100A

VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A

Température de jonction maximale 175

Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS

Applications

Convertisseurs solaires

Alimentation sans coupure

Convertisseurs de soudage

Convertisseurs de fréquence de commutation de gamme moyenne à élevée

Clé Performance et P ackage Paramètres

Codes de commande

V CE

I C

V CEsat , T vj =25

T vjmax

Marking

Package

D100H065AT1S3

650V

100A

1.75V

175°C

D100H65AT1

TO247-3L

Maximum Absolu Évaluations

Symbole Paramètre Valeur Unité
VCES Tension collecteur-émetteur 650 V
VGES Tension grille-émetteur 120 V
IC Courant collecteur continu (TC=25 °C) 125 A
Courant collecteur continu (TC=100 °C) 100 A
ICM Courant collecteur pulsé (Note 1) 200 A
Courant direct de la diode (TC=25 °C) 125 A
IF Courant direct de la diode (TC=100 °C) 100 A
Puissance maximale dissipée (TC=25 °C) 385 W
PD Puissance maximale dissipée (TC=100 °C) 192 W
TJ Plage de température de jonction de fonctionnement -40 à 175
TSTG Plage de température de stockage -55 à 150

Caractéristiques électriques (Tc=25 sauf indication contraire.)

Symbole Paramètre Conditions Min. Typ. Max. Unité
BVCES Collecteur-Émetteur VGE=0V, IC=200uA 650 V
Tension de claquage --- ---
ICES Courant de fuite collecteur-émetteur VCE=650V, VGE=0V 1 mA
--- ---
Courant de fuite de grille, direct VGE=20V, VCE=0V 600 nA
--- ---
IGES Courant de Fuite de Grille, Inverser VGE=-20V, VCE=0V 600 nA
--- ---
VGE(th) Tension de Seuil de Grille VGE=VCE, IC=750uA 4.2 --- 6 V
VCE(sat) Collecteur-Émetteur VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ --- 1.75 2.2 V
Tension de saturation VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ --- 2.05 --- V
td(on) Temps de retard d'allumage --- 35 --- ns
tr Temps de montée VCC=400V --- 155 --- ns
td(off) Temps de retard à l'extinction VGE= ±15V --- 188 --- ns
tf Désactivation de l'automne IC=100A --- 69 --- ns
Eon Perte de commutation à l'allumage RG=8 --- 4.35 --- mJ
Eoff Perte de commutation à l'extinction Charge inductive --- 1.11 --- mJ
Ets Perte totale de commutation TC=25 C --- 5.46 --- mJ
Cies Capacité d'entrée VCE=25V --- 7435 --- pF
Coes Capacité de sortie VGE=0V --- 237 --- pF
Cres Transfert inverse f =1MHz 128 pF
Capacitance --- ---
Symbole Paramètre Conditions Min. Typ. Max. Unité
SI=100A, Tj=25℃ --- 1.65 2.2 V
VF Tension directe de diode SI=100A, Tj=150℃ --- 1.4 --- V
trr Temps de récupération inverse de diode 201 ns
VR=400V --- ---
SI=100A
Irr Pic de tension inverse de diode dIF/dt=200A/us 19 A
Courant de récupération TC=25 C --- ---
Qrr Charge de récupération inverse de diode 2.45 uC
--- ---

Note1 Taux de répétition limité par la largeur d'impulsion température maximale de jonction

Informations sur le package

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