YZPST-D100H065AT1S3
Trench Technologie Field-Stop IGBT
YZPST-D100H065AT1S3
Caractéristiques
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
Température de jonction maximale 175
Placage de plomb sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Applications
Convertisseurs solaires
Alimentation sans coupure
Convertisseurs de soudage
Convertisseurs de fréquence de commutation de gamme moyenne à élevée
Trench Technologie Field-Stop IGBT
YZPST-D100H065AT1S3
Caractéristiques
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1.75V@VGE=15V, IC=100A
Température de jonction maximale 175
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Applications
Convertisseurs solaires
Alimentation sans coupure
Convertisseurs de soudage
Convertisseurs de fréquence de commutation de gamme moyenne à élevée
Clé Performance et P ackage Paramètres
|
Codes de commande |
V CE |
I C |
V CEsat , T vj =25 |
T vjmax |
Marking |
Package |
|
D100H065AT1S3 |
650V |
100A |
1.75V |
175°C |
D100H65AT1 |
TO247-3L |
Maximum Absolu Évaluations
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 650 | V |
| VGES | Tension grille-émetteur | 120 | V |
| IC | Courant collecteur continu (TC=25 °C) | 125 | A |
| Courant collecteur continu (TC=100 °C) | 100 | A | |
| ICM | Courant collecteur pulsé (Note 1) | 200 | A |
| Courant direct de la diode (TC=25 °C) | 125 | A | |
| IF | Courant direct de la diode (TC=100 °C) | 100 | A |
| Puissance maximale dissipée (TC=25 °C) | 385 | W | |
| PD | Puissance maximale dissipée (TC=100 °C) | 192 | W |
| TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -40 à 175 | ℃ |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (Tc=25 sauf indication contraire.)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVCES | Collecteur-Émetteur | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| Tension de claquage | --- | --- | ||||
| ICES | Courant de fuite collecteur-émetteur | VCE=650V, VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| Courant de fuite de grille, direct | VGE=20V, VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Courant de Fuite de Grille, Inverser | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Tension de Seuil de Grille | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Collecteur-Émetteur | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Tension de saturation | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Temps de retard d'allumage | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | Temps de montée | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | Temps de retard à l'extinction | VGE= ±15V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | Désactivation de l'automne | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | Perte de commutation à l'allumage | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | Perte de commutation à l'extinction | Charge inductive | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | Perte totale de commutation | TC=25 C | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | Capacité d'entrée | VCE=25V | --- | 7435 | --- | pF |
| Coes | Capacité de sortie | VGE=0V | --- | 237 | --- | pF |
| Cres | Transfert inverse | f =1MHz | 128 | pF | ||
| Capacitance | --- | --- |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| SI=100A, Tj=25℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Tension directe de diode | SI=100A, Tj=150℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Temps de récupération inverse de diode | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| SI=100A | ||||||
| Irr | Pic de tension inverse de diode | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| Courant de récupération | TC=25 C | --- | --- | |||
| Qrr | Charge de récupération inverse de diode | 2.45 | uC | |||
| --- | --- |
Note1 Taux de répétition limité par la largeur d'impulsion température maximale de jonction
Informations sur le package