YZPST-BTA25-600BW TG25C60
YZPST-TG25..SERIES
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (ISOLATED TYPE)
TG25C/E/D sont des triacs moulés isolés adaptés à une large gamme d'applications telles que photocopieur, four à micro-ondes, commutateur à semi-conducteurs, contrôle de moteur, contrôle de lumière et contrôle de chauffage.
IT AV 25A
Capacité de surtension élevée 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette
YZPST-TG25..SERIES
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
TRIAC (TYPE ISOLÉ)
TG25C/E/D sont des triacs moulés isolés adaptés à une large gamme d'applications telles que photocopieur, four à micro-ondes, commutateur à semi-conducteurs,
commande de moteur, commande de lumière et commande de chauffage.
IT AV 25A
Capacité de surtension élevée 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette
Maximum Ratings
Symbol |
Item |
Conditions |
Ratings |
Unit |
IT RMS |
R.M.S. On-State Current |
Tc |
25 |
Un |
ITSM |
Courant de crête en état de surtension |
Un cycle, 50Hz/60Hz, crête, non répétitif |
300/330 |
Un |
I2t |
I2t |
Valeur pour un cycle de courant de surtension |
450 |
A2S |
PGM |
Puissance de dissipation maximale de la grille |
|
10 |
W |
PGAV |
Puissance de dissipation moyenne de la grille |
|
1 |
W |
IGM |
Courant de grille maximal |
|
3 |
Un |
VGM |
Tension de seuil maximale |
|
10 |
V |
di/dt |
Taux de montée critique du courant de l'état passant |
IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/ μS |
50 |
A/ μS |
Tj |
Température de jonction de fonctionnement |
|
-25~+125 |
C |
Tstg |
Température de stockage |
|
-40~+125 |
C |
VISO |
Tension de claquage en isolation R.M.S. |
A.C. 1 minute |
2500 |
V |
|
Couple de serrage de montage M4 |
Valeur recommandée 1.0 uff5e 1.4 uff08 10 uff5e 14 uff09 |
14 |
kgf.CM |
Maximum
Ratings
Tj=25 sauf indication contraire
Symbol | Item | Ratings | Unit | |||
TG 25C60 | TG 25C80 | TG 25C100 | TG 25C12 | V | ||
V DRM | Répétitif Pic hors tension Tension | 400 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Caractéristiques électriques stics
Symbol |
Item |
Conditions |
Ratings |
Unit |
|
IDRM |
Courant de crête répétitif hors tension Courant maximal, max |
VD=VDRM, Monophasé, demi-onde, Tj=125℃ |
5 |
mA |
|
VTM |
Tension de crête en état passant, max |
Courant d'état passant, Courant d'état passant √2X IT (RMS), Mesure instantanée |
1.4 |
V |
|
I GT1 + |
1 |
Courant de déclenchement de gâchette, max |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
I GT1 - |
2 |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
Je GT3 + |
3 |
|
- |
mA |
|
Je GT3 + |
4 |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
V GT1 + |
1 |
Tension de déclenchement de la gâchette, max |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
V GT1- |
2 |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
V GT3+ |
3 |
|
- |
V |
|
V GT3- |
4 |
Tj = 25 C , IT=1A, VD=6V |
3 |
|
|
VGD |
Tension de gâchette non déclenchée, min |
Tj = 25 C , VD= 1/2VRRM |
0,2 |
V |
|
tgt |
Temps de mise en marche, max. |
IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS |
10 |
V |
|
dv/dt |
Taux de montée critique sur l'état passant Tension, min. |
Tj=25 C ,VD=2/3VDRM Vague exponentielle. |
20 |
V/ μ S |
|
(dv/dt) bspc |
Taux critique de montée hors tension Tension à la commutation, min |
Tj=25 C ,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/ μ S |
5 |
V/ μ S |
|
IH |
Courant de maintien, typ. |
Tj = 25 C |
30 |
mA |
|
Rth(j-c) |
Impédance thermique, max |
Jonction au boîtier |
1.5 |
°C/W |