YZPST-BTA40-800B TG40C80 Capacité élevée de surtension 400A TG40C80 triac moulé isolé
YZPST-BTA40-800B TG40C80
Capacité de surtension élevée 400A TG40C80 triac moulé isolé
TRIAC (TYPE ISOLÉ)
TG40C/E/D sont des triacs moulés isolés
adaptés à une large gamme d'applications telles que
photocopieur, four à micro-ondes, commutateur à semi-conducteurs,
commande de moteur, commande de lumière et commande de chauffage
IT AV 40A
Capacité de surtension élevée 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette
YZPST-BTA40-800B TG40C80
Haute capacité de surtension 400A TG40C80 triac moulé isolé
TG 40 C/E/D sont des triacs moulés isolés
adapté à un large éventail d'applications telles que
photocopieur, four à micro-ondes, commutateur à semi-conducteurs,
commande de moteur, commande de lumière et chauffage
contrôle.
IT AV 40 A
Haute capacité de surtension 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette
Caractéristiques maximales
|
Symbole |
Article |
Conditions |
Évaluations |
Unité |
|
Je T RMS |
Courant d'état sur la tension efficace (R.M.S.) |
Tc |
40 |
A |
|
Je TSM |
Courant d'état de surtension |
Un cycle, 50Hz/, pic, non répétitif |
400 |
A |
|
Je 2 t |
I2t |
Valeur pour un cycle de courant de crête |
880 |
A 2 S |
|
P GM |
Puissance de dissipation de crête de la grille |
|
10 |
W |
|
P G AV |
Puissance moyenne dissipée par la grille |
|
1 |
W |
|
Je GM |
Courant de grille maximal |
|
8 |
A |
|
V GM |
Tension de grille maximale |
|
10 |
V |
|
di/dt |
Taux de montée critique du courant de conduction |
IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/ μS |
50 |
A/ S |
|
Tj |
Température de jonction de fonctionnement |
|
-25 +125 |
C |
|
T stg |
Température de stockage |
|
-40 +125 |
C |
|
V ISO |
Tension de claquage en isolation R.M.S. |
A.C.1 minute |
2500 |
V |
|
|
Couple de serrage de montage M4 |
Valeur recommandée 1.0 1.4 uff08 10 14 uff09 |
14 |
kgf.CM |
Caractéristiques maximales
Tj=25 sauf indication contraire
|
Symbole |
Article |
Évaluations |
Unité |
|||
|
TG 40 C60 |
TG 40 C80 |
TG 40 C1 0 0 |
TG 40 C12 |
V |
||
|
V DRM |
Tension de crête répétitive hors état |
6 00 |
800 |
1000 |
1200 |
V |
Caractéristiques électriques
|
Symbole |
Article |
Conditions |
Évaluations |
Unité |
|
|
Je DRM |
Courant de crête répétitif hors état, max |
VD=VDRM, Monophasé, demi-onde, Tj=125℃ |
5 |
mA |
|
|
V TM |
Tension de crête en état passant, max |
Courant d'état passant, max √ 2X IT (RMS), mesure instantanée |
1. 55 |
V |
|
|
Je GT1 + |
1 |
Courant de déclenchement de gâchette, max |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
Je GT1 - |
2 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
Je GT3 + |
3 |
|
- |
mA |
|
|
Je GT3 + |
4 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
50 |
mA |
|
|
V GT1+ |
1 |
Gate Trigger Voltage, max |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
V GT1- |
2 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
V |
|
|
V GT3+ |
3 |
|
- |
V |
|
|
V GT3- |
4 |
Tj =25℃, IT=1A, VD=6V |
3 |
|
|
|
V GD |
Tension de grille non déclenchante, min |
Tj =25℃, VD=1/2VRRM |
0.2 |
V |
|
|
tgt |
Temps de commutation, max. |
IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj=25℃,dIG/dt=1A/ μ S |
10 |
V |
|
|
dv/dt |
Taux de montée critique de la tension de l'état passant, min. |
Tj=25℃,VD=2/3VDRM Onde exponentielle |
500 |
V/ μ S |
|
|
(dv/dt) c |
Taux de montée critique de la tension hors état à la commutation, min |
Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/ μ S |
5 |
V/ μ S |
|
|
Je H |
Courant de maintien, typ. |
Tj =25℃ |
60 |
mA |
|
|
R th(j-c) |
Impédance thermique, max |
Jonction au boîtier |
0.9 |
℃/W |
|