YZPST-BD139-16

YZPST-BD139-16

NPN SILICON TRANSISTOR P/N:YZPST-BD139-16

BD139-16 transistor au silicium NPN, types PNP complémentaires : BD140-16

DESCRIPTION
Le BD139-16 est un transistor NPN planaire épitaxial au silicium
dans un boîtier plastique TO-126 Jedec, conçu pour les amplificateurs audio
et les pilotes utilisant des circuits complémentaires ou quasi-complémentaires.

Les types PNP complémentaires sont les BD140-16

description1
Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
NPN SILICON TRANSISTOR P/N:YZPST-BD139-16

TRANSISTOR SILICIUM NPN RÉF: YZPST-BD139-16

Le transistor au silicium NPN BD139-16 a des types PNP complémentaires qui sont les BD140-16

DESCRIPTION
Le BD139-16 est un transistor NPN planaire épitaxial au silicium
dans un boîtier plastique TO-126 Jedec, conçu pour l'audio
amplificateurs et les pilotes utilisant des circuits complémentaires ou quasi-complémentaires.
Les types PNP complémentaires sont les BD140-16

CARACTÉRISTIQUES MAXIMALES ABSOLUES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 O C)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension collecteur-base

VCBO

80

V

Tension collecteur-émetteur

VCEO

80

V

Tension émetteur-base

VEBO

5.0

V

Courant collecteur

IC

1.5

A

Base Current

IB

0.5

A

Dissipation totale à

Ptot

12.5

W

Température de jonction maximale de fonctionnement

Tj

150

oC

Température de stockage

Tstg

-55~150

oC

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ( Ta = 25 O C)

Paramètre Symbole Conditions de test Min. Typ. Max. Unité
Courant de coupure du collecteur ICBO VCB = 80V, IE = 0 10 μA
Courant de coupure de l'émetteur IEBO
VEB = 5.0V, IC = 0 10 μA
VCEO
Tension de maintien collecteur-émetteur IC = 1.0mA, IB = 0 80 V
VCE = 2.0V, IC = 0.15A 100 250
Gain de courant continu hFE
VCE = 2.0V, IC = 0.5A 100
VCE(sat)
Tension de saturation collecteur-émetteur IC  = 0.5A, IB  = 0.05A 0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC  = 0.5A, VCE  = 2.0V 1 V
fT
Transition Frequency VCE  = 5V,IC  = 50mA 80 MHz

NOUS CONTACTER