YZPST-BD139-16
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
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TRANSISTOR AU SILICIUM NPN P/N : YZPST-BD139-16
Les types complémentaires PNP du transistor au silicium NPN BD139-16 sont les BD140-16
DESCRIPTION
Le BD139-16 est un transistor NPN planaire épitaxial au silicium
en boîtier plastique TO-126 JEDEC, conçu pour les applications audio
amplificateurs et drivers utilisant des montages complémentaires ou quasi
complémentaires.
Les types complémentaires PNP sont les BD140-16
CARACTÉRISTIQUES ABSOLUES MAXIMALES( Ta = 25 OC)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Tension collecteur-base | VCBO | 80 | V |
Tension collecteur-émetteur | VCEO | 80 | V |
Tension émetteur-base | VEBO | 5.0 | V |
Courant collecteur | IC | 1.5 | A |
Courant de base | IB | 0.5 | A |
Dissipation totale à | Ptot | 12.5 | W |
Température maximale de jonction en fonctionnement | Tj | 150 | oC |
Température de stockage | Tstg | -55~150 | oC |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES( Ta = 25OC)
| Paramètre | Symbole | Conditions d’essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| Courant de coupure du collecteur | ICBO | VCB = 80 V, IE = 0 | 10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Courant de coupure de l’émetteur | IEBO | |||||
| VEB = 5,0 V, IC = 0 | 10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Tension de tenue collecteur-émetteur | IC = 1,0 mA, IB = 0 | 80 | — | — | V | |
| VCE = 2,0 V, IC = 0,15 A | 100 | 250 | ||||
| Gain en courant continu | hFE | |||||
| VCE = 2,0 V, IC = 0,5 A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Tension de saturation collecteur-émetteur | IC = 0,5 A, IB = 0,05 A | 0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Tension base-émetteur | IC = 0,5 A, VCE = 2,0 V | 1 | V | |||
| fT | ||||||
| Fréquence de transition | VCE = 5 V, IC = 50 mA | 80 | MHz |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
