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YZPST-30TPS12
30TPS12 Thyristors P/N:YZPST-30TPS12
Haute tension 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIPTION:
La série de redresseurs commandés au silicium 30TPS12 à haute tension est spécifiquement conçue pour des applications de commutation de puissance moyenne et de contrôle de phase. La technologie de passivation en verre utilisée garantit un fonctionnement fiable jusqu'à une température de jonction de 125 °C. Les applications typiques sont dans la redressement d'entrée (démarrage progressif) et ces produits sont conçus pour être utilisés avec des diodes d'entrée, des commutateurs et des redresseurs de sortie, disponibles dans des boîtiers identiques.
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30TPS12 Thyristors P/N:YZPST-30TPS12
Haute tension 30TPS12 30A SCR TO-247
DESCRIPTION :
La série de redresseurs commandés au silicium à haute tension 30TPS12 est spécifiquement conçue pour des applications de commutation de puissance moyenne et de contrôle de phase. La technologie de passivation en verre utilisée garantit un fonctionnement fiable jusqu'à une température de jonction de 125 °C. Les applications typiques sont dans la redressement d'entrée (démarrage progressif) et ces produits sont conçus pour être utilisés avec des diodes d'entrée, des commutateurs et des redresseurs de sortie, disponibles dans des boîtiers identiques.
Symbole
|
Symbole |
Valeur |
|
IGT |
≥35 mA |
|
IT(RMS) |
30 A |
|
VRRM |
1200 V |
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES (TC = 25°C, sauf indication contraire)
|
Symbole |
PARAMÈTRE |
Valeur |
Unité |
|
V DRM |
Tension de crête répétitive hors état (Tj = 25°C) |
1200 |
V |
|
VRRM |
Tension de crête inverse répétitive (Tj=25°C) |
1200 |
V |
|
IT(AV) |
Courant moyen en état passant (angle de conduction de 180°) |
20 |
A |
|
IT(RMS) |
Courant efficace en état passant (onde sinusoïdale complète) |
30 |
A |
|
ITSM |
Courant de crête surtension non répétitif en état passant (angle de conduction de 180°, F=50Hz, TC=85°C) |
300 |
A |
|
I2t |
I2t pour fusionner (t = 10 ms) |
450 |
A2s |
|
dI / dt |
Taux de montée critique du courant de l'état passant (I = 2 × IGT, tr ≤ 100 ns) |
50 |
A/μs |
|
IGM |
Courant de gâchette de crête |
4 |
A |
|
PG(AV) |
Puissance moyenne dissipée au niveau de la grille |
1 |
W |
|
Tstg |
Plage de température de stockage de jonction |
-40 ~ 150 |
°C |
|
TJ |
Plage de température de jonction de fonctionnement |
-40 ~ 125 |
°C |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj = 25°C, sauf indication contraire)
| Symbole | Condition de test | Valeur | Unité | |
| Min | Max | |||
| IGT | V = 12V R =33Ω | 35 | mA | |
| VGT | 1.3 | V | ||
| VGD | VD=VDRM Tj=125℃ | 0.2 | V | |
| IL | IG= 1.2IGT | 180 | mA | |
| IH | IT=500mA | 120 | mA | |
| dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 500 | V/μs | |
| VTM | ITM = 45A tp=380μs | 1.7 | V | |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | 20 | μA | |
| IRRM | 4 | mA | ||
PACKAGE MECHANICAL DATA
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