YZPST-300HF120TK-G2

Module IGBT 300A 1200V

CARACTÉRISTIQUES
Capacité élevée de court-circuit, courant de court-circuit auto-limitant élevé
Puce IGBT (technologie Trench+ Field Stop)
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Commutation rapide et courant de queue court, faibles pertes de commutation
Diodes de roue libre à récupération rapide et douce
Capteur de température inclus
APPLICATIONS
Application de commutation haute fréquence
Applications médicales
Contrôle de mouvement/servo
Systèmes UPS

MAXIMUM ABSOLU NOTATIONS T C =25°C sauf indication contraire spécifié

Symbole	Paramètre	Conditions de test	Valeurs	Unité
IGBT
V CES	Tension collecteur-émetteur	T Vj =25°C	1250	V
V GES	Gate - Emitter Voltage		±30	V
I C	DC Collector Current	T C =25°C	450	A
		T C =80°C	300	A
I CM	Courant de collecteur de crête répétitif	t p =1ms	600	A
P tot	Puissance dissipée par IGBT		2083	W
Diode
V RRM	Repetitive Reverse Voltage	T Vj =25°C	1250	V
I F(AV)	Average Forward Current	T C =25°C	450	A
		T C =80°C	300	A
I FRM	Repetitive Peak Forward Current	t p =1ms	600	A

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUES TC=25°C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Conditions de test			Min.	Typ.	Max.	Unité
IGBT
V GE(th)	Gate - Emitter Threshold Voltage	V CE =V GE , I C =2.0mA			5.0		6.8	V
V CE(sat)	Collecteur - Émetteur	I C =300A, V GE =15V, T Vj =25°C				2,2	2,6	V
	Tension de saturation	I C =300A, V GE =15V, T Vj =125°C				2,65		V
I CES	Courant de fuite du collecteur	V CE =1250V, V GE =0V, T Vj =25°C					1	mA
		V CE =1250V, V GE =0V, T Vj =125°C					5	mA
R gint	Résistance de grille intégrée	Par commutateur				5		Ω
I GES	Courant de fuite de grille	V CE =0V,V GE ±15V, T Vj =125°C			-500		500	nA
C ies	Capacité d'entrée	V CE =25V, V GE =0V, f =1MHz				21.3		nF
C res	Capacité de transfert inverse					1.42		nF
t d(on)	Temps de retard de mise en marche	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		393		ns
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		395		ns
t r	Temps de montée	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		130		ns
		Charge inductive		T Vj =125°C		135		ns
t d(off)	Temps de retard d'extinction	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		570		ns
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		600		ns
t f	Temps de chute	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		145		ns
		Charge inductive		T Vj =125°C		155		ns
E sur	Énergie de mise en marche	V CC =600V,I C =300A,		T Vj =25°C		7.7		mJ
		R G =3.3 Ω ,		T Vj =125°C		14.5		mJ
E off	Éteindre - Éteindre l'énergie	V GE = ±15V,		T Vj =25°C		26.3		mJ
		Charge inductive		T Vj =125°C		33.5		mJ
I SC	Courant de court-circuit	t ps c \u226410\u00b5S , V GE =15V T Vj =125\u00b0C,V CC =900V				2100		A
R thJC	Résistance thermique jonction-boîtier (Par IGBT)						0.07	K /W
Diode
V F	Tension directe	I F =300A , V GE =0V, T Vj =25°C				1.82	2.25	V
		I F =300A , V GE =0V, T Vj =125°C				2.0		V
Q rr	Charge inversée	I F =300A , V R =600V				40		uC
I RRM	Max. Courant de récupération inverse	di F /dt=-2360A/ μs				250		A
E rec	Énergie de récupération inverse	T Vj =125°C				18.5		mJ
R thJCD	Résistance thermique jonction-boîtier		(Par diode)				0,12	K /W

CONTOUR DU BOÎTIER

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