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YZPST-2SA1930
Transistor PNP au silicium dans un boîtier en plastique TO-220F.
Caractéristiques
Haute fT, paire complémentaire avec 2SC5171.
Transistor PNP au silicium TO-220F 2SA1930 Haute fT paire complémentaire avec 2SC5171
Transistor PNP au silicium dans un boîtier en plastique TO-220F. P/N: YZPST-2SA1930
Transistor PNP au silicium dans un boîtier en plastique TO-220F.
Caractéristiques
Haute fT, paire complémentaire avec 2SC5171.
Transistor PNP au silicium 2SA1930 TO-220F Haute fT paire complémentaire avec 2SC5171
Absolu Maximum Rati ngs(Ta=25 ℃ )
|
Paramètre |
Symbole |
Classement |
Unité |
|
Tension collecteur-base |
VCBO |
-180 |
V |
|
Tension collecteur-émetteur |
VCEO |
-180 |
V |
|
Tension émetteur-base |
VEBO |
-5.0 |
V |
|
Courant collecteur - continu |
IC |
-2.0 |
A |
|
Courant de base |
IB |
-1.0 |
A |
|
Dissipation de puissance du collecteur |
PC |
2.0 |
W |
|
Dissipation de puissance du collecteur |
PC(Tc=25℃) |
20 |
W |
|
Température de jonction |
Tj |
150 |
℃ |
|
Plage de température de stockage |
Tstg |
-55~150 |
℃ |
Caractéristiques électriques (Ta=25 ℃ )
|
Paramètre |
Symbole |
Conditions de test |
Min |
Typ |
Max |
Unité |
|
Rupture collecteur-émetteur Tension |
VCEO |
IC=-10mA IB=0 |
-180 |
|
|
V |
|
Courant de coupure du collecteur |
ICBO |
VCB=-180V IE=0 |
|
|
-5.0 |
μA |
|
Courant de coupure de l'émetteur |
IEBO |
VEB=-5.0V IC=0 |
|
|
-5.0 |
μA |
|
Gain de courant continu |
hFE(1) |
VCE=-5.0V IC=-100mA |
100 |
|
320 |
|
|
hFE(2) |
VCE=-5.0V IC=-1.0A |
50 |
|
|
|
|
|
Collector to Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
IC=-1.0A IB=-100mA |
|
-0.24 |
-1.0 |
V |
|
Tension base-émetteur |
VBE |
VCE=-5.0V IC=-1.0A |
|
-0.68 |
-1.5 |
V |
|
Fréquence de transition |
fT |
VCE=-5.0V IC=-300mA |
|
200 |
|
MHz |
|
Capacité de sortie du collecteur |
Cob |
VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz |
|
26 |
|
pF |
Package Dimensions
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