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YZPST-2SA1930
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Transistor PNP au silicium dans un boîtier plastique TO-220F. N° de pièce : YZPST-2SA1930
Transistor PNP au silicium dans un boîtier plastique TO-220F.
Caractéristiques
fT élevé, paire complémentaire avec 2SC5171.
TO-220F 2SA1930 transistor PNP au silicium fT élevé, paire complémentaire avec 2SC5171
Absolu Maximum Ratings(Ta=25℃)
Paramètre | Symbole | Caractéristique | Unité |
Tension collecteur-base | VCBO | -180 | V |
Tension collecteur-émetteur | VCEO | -180 | V |
Tension émetteur-base | VEBO | -5.0 | V |
Courant collecteur - continu | IC | -2.0 | A |
Courant de base | IB | -1.0 | A |
Dissipation de puissance du collecteur | PC | 2.0 | W |
Dissipation de puissance du collecteur | PC(Tc=25℃) | 20 | W |
Température de jonction | Tj | 150 | ℃ |
Plage de température de stockage | Tstg | -55～150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (Ta=25℃)
Paramètre | Symbole | Conditions d'essai | Min | Typ | Max | Unité |
Rupture collecteur-émetteur Tension | VCEO | IC=-10mA IB=0 | -180 |
|
| V |
Courant de coupure du collecteur | ICBO | VCB=-180V IE=0 |
|
| -5.0 | μA |
Courant de coupure de l’émetteur | IEBO | VEB=-5.0V IC=0 |
|
| -5.0 | μA |
Gain en courant continu | hFE(1) | VCE=-5.0V IC=-100mA | 100 |
| 320 |
|
hFE(2) | VCE=-5.0V IC=-1.0A | 50 |
|
|
| |
Tension de saturation collecteur-émetteur | VCE(sat) | IC=-1.0A IB=-100mA |
| -0.24 | -1.0 | V |
Tension base-émetteur | VBE | VCE=-5.0V IC=-1.0A |
| -0.68 | -1.5 | V |
Fréquence de transition | fT | VCE=-5.0V IC=-300mA |
| 200 |
| MHz |
Capacitance de sortie du collecteur | Cob | VCB=-10V IE=0 f=1.0MHz |
| 26 |
| pF |
Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
