YZPST-1N5603
H i g h V ol t ag e S i li co n A sse m b l y S e r i es
YZPST-HVSS- 5KV/5.0A Haute tension Empilement de silicium
CARACTÉRISTIQUES
Utilisant la technologie de combinaison de noyau de tube au niveau de production le plus avancé.
Faible courant de fuite, faible puissance, température de jonction de fonctionnement de -40 °C à +175 °C.
Excellente résistance aux fortes impulsions instantanées et caractéristiques d'avalanche inverse.
Performance originale de conduction de chaleur, conception efficace de dissipation de chaleur.
Formes et tailles générales et différentes à choisir ou personnalisées.
Dans le circuit en redresseur haute tension, effet d'isolation et de protection.
|
D E V ICE E L E C T RIC A L CH A R A C T E RI S T ICS (2 5 ℃ a m b i en t t e m p era t ur e un l e s s s ta t e d o t herw i s e ) |
C O NDI T I O NS |
S YMB O L |
5 K V / 5 . 0 A |
|
Ma xi m um R e p e titi v e P ea k R eve rs e V o l t a ge |
|
V R R M |
5 K V |
|
P e a k R e v e r s e W or king V o l t a ge |
|
V R W M |
5 K V |
|
A v e ra ge F o r w a r d Cu r re nt M a x i m u m |
|
I O |
5 . 0 A |
|
Ma xi m um S u r ge Cu r r e nt R a ti n g |
|
I F S M |
1 5 0 A |
|
Ma xi m u m F o r w a r d V o lt a ge D r o p |
@ 5 A |
V F M |
6 . 0 V |
|
P ea k R e v ers e C u r r e n t |
@ 2 5 ℃ |
I R R M |
5 . 0 u A |
|
Ma xi m u m J un c ti o n T e m p e r a t u r e |
|
T J |
1 5 0 ℃ |
|
S à r a ge T em p e r a tu r e R a n ge |
|
T s t g |
- 4 0 ~+ 1 5 0 ℃ |
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante de diodes haute tension .
Diodes haute tension
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diode haute fréquence haute tension
2CL G 20mA 20KV 80ns
04D, 04Z (10mA 4000V, 80ns)
08D,08X, 08Z (10mA 8000V, 80ns)
PST-12 (10mA 12000V, 80ns)
PST-14 (10mA 12000V, 80ns)
PST-16 (10mA 12000V, 80ns)
HV37-08 (200mA 8KV 80ns)
HV37-08F (200mA 8KV 70ns)
HV37-10 (200mA 10KV 80ns)
HV37-20 (200mA 20KV 80ns)
HV37-20F (200mA 20KV 70ns)
CL03-10F (300mA 10KV 80ns)
FOB (450mA 8KV 40ns)
FOB-12 (450mA 12KV 40ns)
High Voltage Silicon Stack
(20mA-10A, 30KV-500KV)