YZPST-1N5603
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
High Voltage SiLicon Assembly Series
YZPST-HVSS- 5KV/5.0A Empilement de silicium haute tension
CARACTÉRISTIQUES
Utilisation de la technologie d’assemblage par noyau tubulaire au niveau de production le plus avancé.
Faible courant de fuite, faible puissance, température de jonction de fonctionnement de -40 °C à +175 °C.
Excellente résistance aux chocs instantanés de fort courant et caractéristiques d’avalanche inverse.
Excellentes performances de conduction thermique, conception à dissipation thermique efficace.
Formats et dimensions standard ou personnalisés au choix.
Dans le circuit, il assure des fonctions de redressement haute tension, d’isolation et de protection.
DEVICE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (25℃ambienttempèrature unless stated otherwise) | CONDITIONS | SYMBOL | 5LV/5.0A |
Maximum Repetitive Peak Revese Voltage | VRRM | 5LV | |
Peak Reverse Wouking Voltage | VRWM | 5LV | |
Aveàge Forward Curreant Maximum | IO | 5.0A | |
Maximum Surge Curreant Rating | IFSM | 150A | |
Maximum Forward Voltage Drop | @5A | VFM | 6.0V |
Peak Reverse Current | @25℃ | IRRM | 5.0uA |
Maximum Junction Temperature | TJ | 150℃ | |
Sàrage Temperature Range | Tstg | -40~+150℃ |
YZPST peut fournir la liste des équivalents suivante pour diodes haute tension.
Diodes haute tension
2CLG 100mA 10KV
2CLG 100mA 20KV
2CLG 100mA 15KV
2CL 500mA 12KV
2CL104 (350mA 12KV)
2CL106 (500mA 12KV)
HV600S10 (600mA 10KV)
HV600S12 (500mA 12KV)
Diode haute tension à haute fréquence
2CL G 20 mA 20 kV 80 ns
04D, 04Z (10 mA 4000 V, 80 ns)
08D, 08X, 08Z (10 mA 8000 V, 80 ns)
PST-12 (10 mA 12000 V, 80 ns)
PST-14 (10 mA 12000 V, 80 ns)
PST-16 (10 mA 12000 V, 80 ns)
HV37-08 (200 mA 8 kV 80 ns)
HV37-08F (200 mA 8 kV 70 ns)
HV37-10 (200 mA 10 kV 80 ns)
HV37-20 (200 mA 20 kV 80 ns)
HV37-20F (200 mA 20 kV 70 ns)
CL03-10F (300 mA 10 kV 80 ns)
FOB (450 mA 8 kV 40 ns)
FOB-12 (450 mA 12 kV 40 ns)
Empilage de silicium haute tension
(20 mA-10 A, 30 kV-500 kV)
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
