transistors de puissance au silicium complémentaires 2N3055/MJ2955
DESCRIPTION
Le 2N3055 est un transistor NPN planaire à base épitaxiale en silicium monté dans un boîtier métallique Jedec TO-3.
Il est destiné aux circuits de commutation de puissance, aux régulateurs série et shunt, aux étages de sortie et aux amplificateurs haute fidélité.
Le type PNP complémentaire est le MJ2955.
A B S O L U T E M A X I M U M R A T I N G S ( T a = 2 5 O C)
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Paramètre |
l |
Valeur |
Unité |
|
Tension collecteur-base |
V CBO |
100 |
V |
|
Tension collecteur-émetteur |
V PDG |
60 |
V |
|
Tension émetteur-base |
V EBO |
7 |
V |
|
Courant collecteur |
I C |
15 |
A |
|
Courant base |
I B |
7 |
A |
|
Dissipation totale à |
P tot |
115 |
W |
|
Température de jonction maximale de fonctionnement |
T j |
150 |
o C |
|
Température de stockage |
T stg |
0 |
o C |
E L E C T R I C A L CH AR AC T E R I S T I C S ( T a = 2 5 O C)
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Paramètre |
Symbole |
Test Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unité |
|
Courant de coupure du collecteur |
I PDG |
V CE =50V, I B =0 |
"—" |
"—" |
0.7 |
mA |
|
Courant de coupure de l'émetteur |
I EBO |
V EB =7V, I C =0 |
"—" |
"—" |
5.0 |
mA |
|
Tension de maintien collecteur-émetteur |
V PDG |
I C =100mA, I B =0 |
60 |
"—" |
"—" |
V |
|
Gain de courant continu |
h FE(1) |
V CE =4.0V, I C =4.0A |
30 |
"—" |
70 |
|
|
h FE(2) |
V CE =4.0V, I C =10A |
15 |
"—" |
|
|
|
|
Tension de saturation collecteur-émetteur |
V CE(sat) |
I C =4.0A,I B =400mA |
"—" |
"—" |
1.0 |
V |
|
I C =10A,I B =3.3A |
"—" |
"—" |
3.0 |
|||
|
Tension de base-émetteur allumée |
V BE(allumé) |
V CE =4V,I C =4.0A |
"—" |
"—" |
1.8 |
V |
|
Produit de bande passante de gain de courant |
f T |
V CE =4.0V,I C =500mA |
"—" |
3.0 |
"—" |
MHz |
Pour plus d'informations sur 2N3055/MJ2955 veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "2N3055-MJ2955-E PST"
