VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
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COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-BT152-600R
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Téléchargements et fichiers techniques
BT152-600R/800R
SCR 600 V à forte résistance aux surtensions de courant BT152-600R
YZPST-BT152-600R
- Caractéristiques du produit
Dispositif unidirectionnel en silicium à structure quadruple NPNP,
P+ sur l’isolation par diffusion traversante,
Structure à simple mesa (Single Mesa),
Procédé de passivation du verre sur table,
Métal de l’électrode arrière (anode) : Ti-Ni-Ag
Grande capacité de résistance aux chocs de courant
●Principales applications
Commutation de courant alternatif,
Convertisseur d’alimentation AC/DC,
Commande du chauffage électrique
Commande de vitesse du moteur
● Boîtier
TO-220M1 TO-220F
Caractéristique principale (Tj=25℃)
| Symbole | Valeur | Unité |
| IT (RMS) | 20 | A |
| VDRM VRRM | 600/800 | V |
| IGT | ≤200 | uA |
Valeurs absolues (valeurs limites)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| IT (RMS) | Courant efficace en état passant (angle de conduction 180 °° d’angle de conduction) | 20 | A |
| IT(AV) | Courant moyen à l’état passant (180 °° d’angle de conduction) | 13 | A |
| ITSM | Pic de surtension non répétitif en régime établi | 200 | A |
| Courant (tp=10 ms) | |||
| IGM | Courant de gâchette de crête (tp=20us) | 4 | A |
| PGM | Puissance de crête de gâchette | 5 | W |
| PG(AV) | Puissance moyenne de gâchette | 1 | W |
| Tstg | Température de stockage | 110 | ℃ |
| Tj | En fonctionnement jonction température | 85 |
Résistances thermiques
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
| TO-220M1 | 2.2 | |||
| Rth (j-c) | Jonction-boîtier | TO-220F | 2.5 | ℃/W |
Caractéristiques électriques (Tj=25℃ sauf indication contraire)
| Symbole | Conditions d'essai | Valeur | Unité | |||
| Min | Type | Max | ||||
| IGT | VD=12 V, RL=33Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
| VGT | VD=12 V, RL=33Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
| IH | IT=500 mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | ----- | ----- | 60 | mA | |
| dV/dt | VD=67%VDRM, Gâchette ouverte, Tj=110℃ | 500 | v/ μs | |||
| ----- | ----- | |||||
| VTM | IT=30 A, tp=380μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
| dI/dt | IG=2IGT | 50 | ----- | ----- | A/μs | |
| I2T | Tp=10 ms | ----- | ----- | 200 | A2S | |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IDRM | VD=VDRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
| Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
| IRRM | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Dimensions du boîtier
((TO--220F))
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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