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YZPST-600HFX170C6S Module IGBT
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT YZPST-600HFX170C6S
1700V/600A, 2 en un seul boîtier
Description générale
Le module de puissance IGBT offre des pertes de conduction ultra faibles ainsi qu'une excellente tenue au court-circuit.
Ils sont conçus pour des applications telles que
les onduleurs généraux et les UPS.
onduleurs généraux et UPS.
Caractéristiques
• Technologie IGBT à tranchée à faible VCE(sat)
• Capacité de court-circuit de 10 μs
• VCE(sat) avec coefficient de température positif
• Température maximale de jonction : 175 °C
• Boîtier à faible inductance
• Diode antiparallèle FWD à récupération inverse rapide et douce
• Base en cuivre isolée avec technologie DBC
Applications typiques
• Onduleur pour entraînement de moteur
• Amplificateur d'entraînement servo AC et DC
• Alimentation sans interruption
IGBT
Symbole | Description | Valeur | Unité |
VCES | Tension collecteur-émetteur | 1700 | V |
VGES | Tension grille-émetteur | ±20 | V |
IC | Courant collecteur TC=25 °C TC= 100 °C | 1069 600 | A |
ICM | Courant collecteur pulsé tp=1 ms | 1200 | A |
PD | Dissipation de puissance maximale T =175 °C | 4166 | W |
Diode
Symbole | Description | Valeur | Unité |
VRRM | Tension inverse de crête répétitive | 1700 | V |
IF | Courant direct continu de la diode | 600 | A |
IFM | Courant direct maximal de la diode tp=1 ms | 1200 | A |
Module
Symbole | Description | Valeur | Unité |
Tjmax | Température de jonction maximale | 175 | oC |
Tjop | Température de jonction de fonctionnement | -40 à +150 | oC |
TSTG | Plage de température de stockage | -40 à +125 | oC |
VISO | Tension d’isolement RMS, f=50 Hz, t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caractéristiques TC=25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| IC=600 A, VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Collecteur à émetteur | IC=600 A, VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tension de saturation | IC=600 A, VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Seuil grille-émetteur Tension | IC= 12,0 mA, VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Collecteur Coupure-État bloqué | VCE=VCES,VGE=0 V, | 5 | mA | ||
| Courant | Tj=25oC | |||||
| IGES | Courant de fuite grille-émetteur Courant | VGE=VGES,VCE=0 V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Résistance interne de grilleance | 1.3 | Ω | |||
| Cies | Capacité d'entrée | VCE=25 V, f=1 MHz, | 72.3 | nF | ||
| Cres | Transfert inverse | VGE=0V | 1.75 | nF | ||
| Capacitance | ||||||
| QG | Charge de grille | VGE=- 15…+15 V | 5.66 | μC | ||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 170 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 67 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj=25oC | 527 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 138 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 154 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 132 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 168 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 80 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj= 125oC | 619 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 196 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 236 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 198 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 192 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 80 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=600 A, RG= 1,0 Ω, VGE=±15 V, Tj= 150oC | 640 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 216 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 259 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 215 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| tP≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Données SC | Tj=150oC, VCC= 1000 V, VCEM≤1700 V | 2400 | A |
Dimensions du boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
