Caractéristiques
- Forte capacité de surtension
- Types de 50 V à 400 V VRRM
- Non sensible aux décharges électrostatiques
VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-MUR30040
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Téléchargements et fichiers techniques
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Diode en silicium à recouvrement ultrarapide TYPE : YZPST-MUR30040
Symbole | Conditions | Valeurs nominales | Unité |
IF(AV)M | TC=140°C ; sinusoïde à 180° | 300 | A |
IFRMS | valeur maximale en fonctionnement continu | 425 | A |
IFSM | Tj=25°C ; t = 8,3 ms (50 Hz) ; sinusoïde | 1500 | A |
I2t | Tj=25°C ; t = 8,3 ms (50 Hz) ; sinusoïde | - | kA2S |
Viso | C.A. 1 minute/1 seconde | - | V |
Tj | -55 ~ +150 | °C | |
Tstg | -55 ~ +150 | °C | |
M | couple de montage ; ±15 % | - | Nm |
couple des bornes ; ±15 % | - | Nm | |
W | env. | - | g |
IRRM | À VRRM, monophasé, demi-onde, Tj=125°C | 3 | mA |
VFM | Courant en conduction 300 A, Tj=25°C | 1.70 | V |
VF0 | Tj=150°C | - | V |
rF | Tj=150°C | - | mΩ |
trr | Tj=25°C ; IF = 0,5 A ; -diF/dt = 15 A/µs ; VR = 30 V ; IRR = 0,25 A | 90 | ns |
Qrr | Tj=150°C ; IF = 50 A ; -diF/dt = 100 A/µs ; VR = 100 V | - | us |
IRM | - | A | |
Rth(j-c) | Par module | 0.45 | °C/W |
Rth(c-h) | Par module | - | °C/W |
Plan d'encombrement
Pour plus d’informations sur le module de diode à récupération rapide, veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus intitulé« YANGZHOU POSITIONING TECH CO pièces de thyristors et de diodes de puissance »
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