Diode Schottky SBD à structure épitaxiale 5,0 A
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Structure épitaxiale, diode à barrière de Schottky SBD 5,0 A
CARACTÉRISTIQUES
Faible chute de tension directe
Grande capacité de courant
Haute fiabilité
Forte capacité de courant de surtension
Structure épitaxiale
DONNÉES MÉCANIQUES
Boîtier : plastique moulé
Époxy : matériau ignifuge classé UL 94V-0
Pattes : pattes axiales, soudables selon la méthode 208 de la norme MIL-STD-202, garanti
Polarité : une bande de couleur indique l’extrémité cathode
Position de montage : indifférente
Poids : 1,00 g
Des versions standard et sans plomb sont disponibles :
Standard : 80~95 % Sn, 5~20 % Pb
Sans plomb : ≥99 % Sn, conforme aux exigences de la directive RoHS sur les substances dangereuses
PLAGE DE TENSION
20 à 200 volts
COURANT
5,0 ampères
CARACTÉRISTIQUES NOMINALES MAXIMALES ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
Caractéristiques nominales à une température ambiante de 25 °C sauf indication contraire. Demi-onde monophasée, 60 Hz, charge résistive ou inductive.
Pour une charge capacitive, réduire le courant de 20 %.
RÉFÉRENCE DU TYPE | SB520 | SB540 | SB540 | SB580 | SB5100 | SB5150 | SB5200 | UNITÉS |
Tension inverse de crête répétitive maximale | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Tension efficace maximale | 14 | 32 | 42 | 56 | 70 | 105 | 140 | V |
Tension de blocage CC maximale | 20 | 40 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | V |
Courant redressé moyen direct maximal Voir fig. 1 |
5.0 |
A | ||||||
Courant de surtension direct de crête, demi-onde sinusoïdale unique de 8,3 ms superposé à la charge nominale (méthode JEDEC) |
150 |
A | ||||||
Tension directe instantanée maximale à 5,0 A | 0.55 | 0.70 | 0.85 | V | ||||
Courant continu maximal Temps de Courant Ta=25 C à courant continu nominal Blocage Tension Ta = 100 C | 200 20 | uA mA | ||||||
Capacité de jonction typique (note 1) | 380 | pF | ||||||
Résistance thermique typique RqJA (note 2) | 10 | C/W | ||||||
Plage de température de fonctionnement TJ | -65 +150 | C | ||||||
Plage de température de stockage TSTG | -65 +150 | C | ||||||
REMARQUES :
1. Mesurée à 1 MHz et avec une tension inverse appliquée de 4,0 V c.c.
2. Résistance thermique jonction-ambiant, montage vertical sur carte PCB, longueur des pattes 0,5" (12,7 mm).
Pour plus d’informations surYZPST-SB5100Veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus intitulé « YZPST-SB520 THRU SB5200 »
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