YZPST-2SA940

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Transistor de type PNP 2SA940

DESCRIPTION :
Le 2SA940 est un transistor de type PNP, utilisé comme transistor de puissance pour les ballasts électroniques et les lampes électroniques à économie d’énergie. Il se caractérise par de faibles pertes de commutation, une grande fiabilité, de bonnes performances à haute température, une vitesse de commutation adaptée, une tension de claquage élevée, un faible courant de fuite inverse, etc.
YZPST-2SA940-1

VALEURS ABSOLUES MAXIMALES

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VCBO	Tension collecteur-base	-150	V
VCEO	Tension collecteur-émetteur	-150	V
VEBO	Tension émetteur-base	-5	V
IC	Courant collecteur continu	-1.5	A
PTOT	Dissipation totale à Tboîtier=25 ℃	25	W
T_j	Température de jonction	150	℃
T_stg	Température de stockage-1.5Température	-55〜150	℃

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25 °C, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Condition d’essai	Valeur			Unité
Symbole	Paramètre	Condition d’essai	Min	Type	Max	Unité
V(BR)CBO	Tension de claquage collecteur-base	I_C=-1 mA	-150			V
V(BR)CEO	Tension de claquage collecteur-émetteur	I_C=-1 mA	-150			V
V(BR)EBO	Tension de claquage émetteur-base	I_E=-1 mA	- 5			V
ICBO	Courant de coupure collecteur	V_CB=-150V, I_E=0			-5	μA
ICEO	Courant de coupure collecteur	V_CE=-150V, I_C=0			-5	μA
IEBO	Courant de coupure de l’émetteur	V_EB=-5V, I_C=0			-5	μA
hFE	Gain en courant continu	V_CE=-10V, I_C=-0,5A	40		140
VCE(sat)	Tension de claquage collecteur-base	I_C=-0,5A, I_B=-50mA			-0.85	V
VBE(sat)	Tension de saturation base-émetteur	I_C=-0,5A, I_B=-50mA			-1.5	V
a: tp≤300μs,δ≤2%