YZPST-FZ600R17KE4

VCES

Collecteur vers Émetteur VTension

1700

V

VGES

Grille vers l’ Émetteur, tensionage

±30

V

IC

Courant collecteur continu

TC  = 25°C

1200

A

TC  = 100°C

600

ICM

Courant de collecteur de crête

TJ= 150 °C

1200

A

PD

Maximum Puissance Dissipation (IGBT)

TC  = 25 °C, TJ= 150 °C

2660

W

tsc

Temps de tenue au court-circuit

> 10

µs

TJ

Maximum Température de jonction de l’IGBT

150

°C

TJOP

Température de jonction maximale de fonctionnement Plage

-40 à +150

°C

Tstg

Température de stockage Plage

-40 à +125

°C

VRRM

Répétitif Tension inverse de pointe Données préliminaires

1700

V

IF

Courant continu de la diode Courant direct

TC  = 25°C

1200

A

TC  = 100°C

600

IFM

Diode Maximum Courant direct

1200

A

Paramètre

Conditions d'essai

Min

Typ

Max

Unité

BVCES

Collecteur vers Tension de claquage émetteurTension

VGE = 0V, IC = 1 mA

1700

V

ICES

Collecteur vers Émetteur Courant de fuite

VGE = 0 V, VCE= VCES

5

mA

IGES

Grille vers Fuite émetteur Courant

VGE = ±30 V, VCE   = 0 V

400

nA

VGE(th)

Tension de seuil de grillege

IC = 1 mA, VCE= VGE

4.5

5.7

V

VCE(sat)

Collecteur  à  Émetteur  Saturation Tension (module niveau)

IC = 600 A, VGE  = 15 V

TJ= 25°C

3.00

3.20

V

TJ= 125 °C

3.60