YZPST-FF600R17ME4 (600B170E53)
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Réf. : YZPST-600B170E53 (YZPST-FF600R17ME4)
Applications
Onduleur pour entraînement moteur
Amplificateur d’asservissement CA et CC
ASI (alimentation sans interruption)
Caractéristiques
Faible Vce(sat) grâce à la technologie IGBT SPT+
Vce(sat) avec coefficient de température positif
Inclut des diodes de roue libre antiparallèles à récupération rapide et douce
Forte capacité de tenue au court-circuit (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Température maximale de jonction : 175 °C
Caractéristiques maximales absolues
Paramètre |
Symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité |
Tension collecteur-émetteur | VCES | VGE=0 V, IC =1 mA, Tvj=25℃ | 1700 | V |
Courant collecteur continu | IC | Tc=100℃ | 600 | A |
Collecteur de crête Courant | ICRM | ICRM =2IC | 1200 | A |
Tension grille-émetteur | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipation Puissance Dissipation (onduleur IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 4286 | W |
Caractéristiques de l’IGBT
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE, IC =24 mA, Tvj=25℃ | 5.4 | 6.2 | 7.4 | V |
| Courant de coupure collecteur-émetteur- | ICES | VCE=1700V,VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||
| Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 2.4 | 2.75 | V | |||
| Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2.8 | V | ||||
| Collecteur-émetteur Tension de saturation | VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=150℃ | 2.9 | V | ||
| Capacité d'entrée | Cies | 40 | nF | |||
| Capacité de sortie | Coes | 2.09 | nF | |||
| Capacité de transfert inverse | Cres | VCE=25V,VGE =0 V, f=1MHz, Tvj=25℃ | 1.44 | nF | ||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 180 | ns | |||
| Temps de montée | tr | 100 | ns | |||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | 300 | ns | |||
| Temps de descente | tf | IC =600 A | 100 | ns | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'enclenchement Temps | Eon | VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=25℃ | 150 | mJ | ||
| Énergie Dissipation Pendant le déclenchementmise hors tension Temps | Eoff | 100 | mJ | |||
| Temps de retard à l’enclenchement | td(on) | 190 | ns | |||
| Temps de montée | tr | 110 | ns | |||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | 350 | ns | |||
| Temps de descente | tf | IC =600 A | 150 | ns | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'enclenchement Temps | Eon | VCE = 900 V VGE = ±15V RG = 1.0Ω Tvj=125℃ | 225 | mJ | ||
| Énergie Dissipation Pendant le déclenchementmise hors tension Temps | Eoff | 160 | mJ | |||
Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
