YZPST-95HF80
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Conduction en direct
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Tension inverse de crête répétitive | VRRM | 800 | V | Tj = 150 oC | ||
Tension inverse crête non répétitive | VRSM | 960 | V | Tj = 150 oC | ||
Courant direct moyen max. | IF(AV) | 95 | A | Onde sinusoïdale, 180oconduction,Tc=140oC | ||
Courant direct efficace max. | IF(RMS) | 149 | A | Valeur nominale | ||
Max. crête, sur un cycle, direct, courant de surtension non répétitif | IFSM | 2000 | A | 10,0 ms (50 Hz), demi-onde sinusoïdeonde, Tj = 180 oC, VRM = 0,6 VRRM | ||
I max.2t pour le fusible | I2t | 20 | kA2s | |||
Chute de tension directe max. | VFM | 1.40 | V | ITM = 267A; Tc=25oC | ||
Tension de seuil | VF0 | 0.73 | V | |||
Srésistance de pente | rf | 3.0 | mΩ |
Spécifications thermiques et mécaniques
Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
Température de fonctionnement | Tj | -55 | +180 | oC | ||
Température de stockage | Tstg | -55 | +180 | oC | ||
Charge de recouvrement inverse | Qrr | - | μC | |||
Résistance thermique - jonction/boîtier | RQ (j-c) | - - | 0.27 | L/W | ||
Résistance thermique - boîtier versdissipateurdissipateur | RQ (c-s) | - - | 0.25 | L/W | ||
Force de montage | P | 3.4 | Nm | ± 10 % | ||
Poids | W | - | - | 16 | g | environ |
Type de boîtier | DO-5 | Voir le tableau du plan |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
