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YZPST-N2055MC280
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N : YZPST-N2055MC280
VRRM(1) | V DRM(1) | VRSM(1) |
2800 | 2800 | 2900 |
Crête répétitive inversese fuite et état bloqué fuite à l’état bloqué | IRRM /IDRM | 10 mA 65 mA (3) |
Taux critique de montée de tension | dV/dt (4) | 500 V/μs |

Conduction - on État
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Valeur moyenne du courant à l’état passant | IT(AV) | 2000 | A | Tc=93 °C | ||
| Valeur efficace du courant à l’état passant | ITRMS | 2000 | A | Valeur nominale | ||
| Crête du courant de surcharge d’un seul cycle | ITSM | 41000 | A | 8,3 ms (60 Hz), forme d’onde sinusoïdale, conduction sur 180°, Tj = 125 °C 10,0 ms (50 Hz), forme d’onde sinusoïdale, conduction sur 180°, Tj = 125 °C | ||
| (non répétitif) courant | 36000 | A | ||||
| I²t | I2t | 3.3x106 | A²s | 8.3 ms et 10.0 ms | ||
| Courant d'accrochage | IL | 800 | mA | VD = 24 V ; RL = 12 ohms | ||
| Courant de maintien | IH | mA | VD = 24 V ; I = 2,5 A | |||
| 400 | ||||||
| Tension de crête à l'état passant | VTM | V | ITM = 2000 A ; | |||
| 1.45 | ||||||
| Taux critique de montée du courant à l'état passant (5) | di/dt | A/μs | Commutation depuis VDRM < 1000 V, non répétitive | |||
| 200 |
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Dissipation de puissance de crête de gâchette | PGM | 200 | W | tp = 40 us | ||
| Dissipation de puissance moyenne de grille | PG(AV) | 5 | W | |||
| Courant de crête de grille | IGM | 10 | A | |||
| Courant de gâchette requis pour déclencher tous les composants | IGT | 300 | mA | VD = 6 V ; RL = 3 ohms ; Tj = -40 °C VD = 6 V ; RL = 3 ohms ; Tj = +25 °C VD = 6 V ; RL = 3 ohms ; Tj = +125 °C | ||
| 150 | mA | |||||
| 125 | mA | |||||
| Tension de gâchette requise pour déclencher tous les composants | VGT | 5 | V | VD = 6 V ; RL = 3 ohms ; Tj = -40 °C VD = 6 V ; RL = 3 ohms ; Tj = 0-125 °C VD = tension VDRM nominale ; RL = 1000 ohms ; Tj = +125 °C | ||
| 0.3 | 3 | V | ||||
| V | ||||||
| Tension négative de crête | VGRM | 5 | V |
Dynamique
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Temps de retard | td | 1.5 | 0.7 | μs | ITM = 50 A ; VD = tension VDRM nominale | |
| Impulsion de gâchette : VG = 20 V ; RG = 20 ohms ; tr = 0.1 μs ; tp = 20 μs | ||||||
| Temps d'extinction (avec VR = -50 V) | 500 | 250 | μs | ITM = 1000 A ; di/dt = 25 A/μs ; | ||
| VR > -50 V ; dV/dt réappliqué = 20 V/μs linéaire jusqu'à 80 % de VDRM ; VG = 0 ; Tj = 125 °C ; rapport cyclique > 0.01 % | ||||||
| Charge de recouvrement inverse | Qrr | μC | ITM = 1000 A ; di/dt = 25 A/μs ; | |||
| * | VR > -50 V |
YZPST-N2055MC280

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