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COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-FQP3P50
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MOSFET FQP3P50
N° de pièce : YZPST-FQP3P50
DESCRIPTION :
Le FQP3P50 est un transistor de puissance MOSFET à enrichissement à canal P
MOSFET.Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé dans les alimentations à découpage haute vitesse, les amplificateurs audio, la commande de moteurs CC
et les applications de conversion de puissance à découpage variable.
contrôle de moteur, et diverses applications d’alimentation à découpage.
VALEURS ABSOLUES MAXIMALES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
| VDSS | Tension drain-source | -500 | V | |
| VGSS | Tension grille-source | ±30 | V | |
| Tc=25℃ | -2.7 | A | ||
| ID | Courant de drain continu | Tc= 100℃ | -1.71 | A |
| IDM | Courant de drain pulsé | -10.8 | A | |
| Ptot | Dissipation de puissance (TC=25°C) | TO-220C | 85 | W |
| Tj | Température de jonction | 150 | ℃ | |
| Tstg | Température de fonctionnement et de stockageerature | -205 | ℃ | |
| EAS | Avalanche Énergie | 250 | mJ | |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25 °C, sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
| Min | Type | Max | ||||
| BVDSS | Tension de claquage drain-sourcetage | VGS= 0V, ID=- 250μA | -500 | V | ||
| VDS=-500V ,VGS=0V | -1 | uA | ||||
| IDSS | Courant de fuite drain-sourcerent | VDS=-400V,VGS=0V ， | -100 | uA | ||
| Tc=125℃ | ||||||
| IGSS | Fuite grille-source Courant | VGS= ±30V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Tension de seuil de grille | VDS= VGS,ID= - 250uA | -3 | -5 | V | |
| RDS(ON) | À l’état passant statique drain-source Résistance | VGS= -10V ，ID= -1A | 5 | Ω | ||
| ∆BVDSS/ ∆TJ | Tension de claquage Température Coefficient | ID = -250 µA, | 0.42 | V/℃ | ||
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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