YZPST-STW20NM60
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Caractéristiques
Haute robustesse
Faible RDS(ON) (typ. 0,22 Ω) à VGS=10 V
Faible charge de grille (typ. 84 nC)
Capacité dv/dt améliorée
Testé à 100 % en avalanche
Applications : UPS, chargeur, alimentation PC, onduleur
Ce MOSFET de puissance est fabriqué avec la technologie avancée de Promising Chip.
Cette technologie permet au MOSFET de puissance d’offrir de meilleures caractéristiques, notamment un temps de commutation rapide, une faible résistance à l’état passant, une faible charge de grille et, surtout, d’excellentes caractéristiques en avalanche.
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VDSS | Tension drain-source | 600 | V |
ID | Courant de drain continu (@Tc=25℃) | 20* | A |
Courant de drain continu (@Tc=100℃) | 12* | A | |
IDM | Courant de drain pulsé | 78 | A |
VGS | Tension grille-source | ±30 | V |
EAS | Énergie d’avalanche simple impulsion | 1284 | mJ |
EAR | Énergie d’avalanche pulsée répétitive | 97 | mJ |
dv/dt | dv/dt de récupération de diode de crête | 5 | V/ns |
PD | Dissipation totale de puissance (@Tc=25℃) | 42.3 | W |
Facteur de détarage au-dessus de 25℃ | 0.32 | W/℃ | |
TSTG, TJ | Température de jonction en fonctionnement et température de stockage | -55~+150 | ℃ |
TL | Température maximale des broches pour le brasage, à 1/8 du boîtier pendant 5 secondes | 300 | ℃ |
*Le courant de drain est limité par la température de jonction Caractéristiques thermiques :
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
Rthjc | Résistance thermique, jonction vers boîtier | 3.1 | ℃/W |
Rthja | Résistance thermique, jonction vers ambiante | 49 | ℃/W |
Caractéristiques de la diode source-drain :
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
Is | Courant source continu | Jonction p-n inverse intégrée diode dans le MOSFET | 20 | A | ||
ISM | Courant source pulsé | 80 | A | |||
VSD | Chute de tension directe de la diode | IS =20A VGS = 0V | 1.3 | V | ||
trr | Temps de recouvrement inverse | IS =20A VGS = 0V dIF/dt = 100A/us | 494 | ns | ||
Qrr | Charge de récupération inverse | 7.3 | µC |
YZPST peut fournir la liste suivante de MOSFET
| Rds(on) mΩ (typ.) @Vgs= | Qg | ||||||||||||
| MPN | Boîtier | Type | VDS (V) | Vgs | Ids | Pd | Vgs(th) | (nC) | Qgs | Qgd | |||
| （Type） | (V) | (A) | (W) | max (V) | 10V 4,5 V 2,5 V (4.5 | (nC) | (nC) | ||||||
| 2301 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -3A | 1W | -1V | 64mΩ | 89mΩ | 3.3 | 0.7 | 1.3 | |
| 2302 | SOT23 | N | 20V | ±10 | 2.9A | 1W | 1.2V | 30mΩ | 37mΩ | 4 | 0.65 | 1.2 | |
| 2305 | SOT23 | P | -20V | ±12 | -4.8A | 1.7W | -1V | 45mΩ | 60mΩ | 7.8 | 1.2 | 1.6 | |
| 3400 | SOT23 | N | 30V | ±12 | 5.8A | 1.4W | 1.4V | 28mΩ | 31mΩ | 45mΩ | 9.5 | 1.5 | 3 |
| 3401 | SOT23 | P | -30V | ±20 | -4.2A | 1.2W | -1.3V | 50mΩ | 64mΩ | 95mΩ | 9.5 | 2 | 3 |
| 10N03 | SOP8 | N | 30V | ±20 | 10A | 2.5W | 3V | 7.5mΩ | 13 | 5.5 | 3.5 | ||
| 20N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 20A | 60W | 3V | 28mΩ | 15 | 2.9 | 3.2 | ||
| 30P03 | SOP8 | P | 30V | ±20 | -30A | 60W | 3V | ||||||
| 50N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 50A | 60W | 3V | 5.9mΩ | 23 | 7 | 4.5 | ||
| 60N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 60A | 46.3W | 1.8 V | 3.3mΩ | 20 | 6 | 2 | ||
| 80N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 80A | 83W | 4.8mΩ | 51 | 14 | 11 | |||
| 100N03 | TO-252 | N | 30V | ±20 | 100A | 110W | 3V | 4mΩ | 100 | 25 | 45 | ||
| 60N04 | TO-252 | N | 40V | ±20 | 60A | 65W | 1.9V | 8.5mΩ | 12.5mΩ | 29 | 4.5 | 6.4 | |
| 4606 | SOP-8 | N+P | |||||||||||
| 3N06 | SOT-223 | N | 60V | ±20 | 3A | 1.7W | 1.4V | 105mΩ （MAX） | 125 mΩ （MAX） | 6 | 1 | 1.3 | |
| 15P06 | TO-252 | P | |||||||||||
| 20N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 20A | 40W | 3V | 37mΩ | 12 | 4.1 | 4.5 | ||
| 25P06 | TO-252 | P | -60V | ±20 | -25A | 90W | -3.5V | 45mΩ | 46 | 9.5 | 10.5 | ||
| 30N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 30A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 50N06 | TO-252 | N | 60V | ±20 | 50A | 120W | 4V | 19mΩ | 34 | 9.6 | 10.5 | ||
| 110N06 | TO-220/F | N | 60V | ±20 | 110A | 120W | 2V | 5.2mΩ | 113 | 14 | 54 | ||
| G1002 | TO-92 | N | 100V | ±20 | 2A | 1.1W | 2.5V | 185mΩ | 5.2 | 0.75 | 1.4 | ||
| 5N10 | SOT223 | N | 100V | ±20 | 5A | 3W | 3V | 135mΩ | 16 | 3.2 | 4.7 | ||
| 14N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 14A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 30N10 | SOP8 | N | 100V | ±20 | 30A | 85W | 2.5V | 24mΩ | 39 | 8 | 12 | ||
| 11N10 | TO-252 | N | 100V | ±20 | 11A | 28W | 2.6V | 85mΩ | 11 | 1.9 | 2.8 | ||
| 12P10 | TO-252 | P | -100V | ±20 | -12A | 40W | -3V | 170mΩ | 25 | 5 | 7 | ||
| 5N20 | TO-252 | N | 200V | ±20 | 5A | 30W | 2.5V | 520mΩ | 12 | 2.5 | 3.8 | ||
| 2N60 | TO-252/251 | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 2N65 | TO-252 | N | 650V | ±30 | 2A | 45W | 4V | 5Ω | 9 | 1.6 | 4.3 | ||
| 4N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 4A | 100W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 4N60 | TO-252 | N | 600V | ±30 | 4A | 33W | 4V | 3Ω | 5 | 2.7 | 2 | ||
| 5N60 | TO-220 | N | 600V | ±30 | 5A | 100W | 4V | 2.5Ω | 16 | 3 | 7.2 | ||
| 6N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 6A | 140W | 4V | 1.8Ω | 29 | 7 | 14.5 | ||
| 8N60 | TO- | N | 600V | ±30 | 8A | 140W | 4V | 1.0Ω | 45 | 6.8 | 18 | ||
| 12N65 | TO- | N | 650V | ±30 | 12A | 4V | 0.8Ω | 42 | 8.6 | 21 | |||
| IRF640 | TO- | N | 200V | ±30 | 18A | 43W | 4V | 0.14Ω | 40 | 6 | 22 | ||
| IRF740 | TO- | N | 400V | ±30 | 10.5A | 45.5W | 4V | 0.43Ω | 30 | 4 | 15 | ||
| IRF840 | TO- | N | 500V | ±30 | 9A | 45.5W | 4V | 0.65Ω | 30 | 4 | 15 | ||
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